首页--数理科学和化学论文--物理学论文--固体物理学论文--薄膜物理学论文--薄膜的性质论文

纳米SiC薄膜的发光与多孔SiO2:F薄膜介电特性研究

摘要第1-4页
Abstract第4-9页
1 绪论第9-22页
   ·引言第9-10页
   ·SiC 的结构特性和生长第10-15页
     ·SiC第10-11页
     ·SiC 的特性第11-13页
     ·SiC 的生长第13-15页
   ·SiC 的研究现状第15-20页
     ·SiC 发光特性的研究第15-19页
   (1) 发光模型第15-16页
   (2) 多孔SiC的发光研究第16-18页
   (3) 纳米SiC薄膜的发光研究第18-19页
     ·SiC 电学特性的研究第19-20页
     ·SiC 光电器件的研究第20页
   ·本论文的选题依据和研究思路第20-21页
   ·本章小结第21-22页
2 实验设备与测试表征技术第22-31页
   ·实验设备系统简介第22-24页
     ·射频溅射系统第22-23页
     ·退火热处理系统第23-24页
     ·实验主要材料第24页
   ·样品的测试和表征第24-30页
     ·结构和成分测试技术第24-26页
   (1) X 射线衍射谱(XRD )第24-25页
   (2) 傅立叶红外变换谱(FTIR )第25页
   (3) 紫外-可见光谱(UV-Vis.)第25-26页
     ·形貌测试技术第26-27页
   (1) 扫描电子显微镜(SEM )第26页
   (2) 原子力显微镜(AFM )第26-27页
     ·光学特性测试技术第27-28页
     ·电学特性测试技术第28-30页
   ·本章小结第30-31页
3 SiC/多孔玻璃颗粒膜的制备和特性研究第31-38页
   ·样品的制备第31页
     ·玻璃衬底的处理第31页
     ·SiC/多孔玻璃颗粒膜的制备过程第31页
   ·特性研究第31-37页
     ·玻璃衬底多孔结构的形成过程第31-32页
     ·光致发光谱(PL)分析第32-34页
     ·紫外透射谱(UV-Vis)分析第34-35页
     ·扫描电子显微镜(SEM)分析第35-36页
     ·SiC/多孔玻璃发光机理第36-37页
   ·本章小结第37-38页
4 SiC/SiO_2 纳米复合薄膜的制备和特性研究第38-51页
   ·样品的制备第38页
     ·硅衬底的处理第38页
     ·SiC/SiO_2纳米复合薄膜的制备过程第38页
   ·特性研究第38-50页
     ·SiC 薄膜沉积时间对样品结构和发光性能的影响第38-41页
   (1) 样品制备第38-39页
   (2) 结构和发光性能分析第39-41页
     ·退火温度对SiC/SiO_2 纳米复合薄膜的影响第41-50页
   (1) SiC/SiO_2纳米复合薄膜的X射线衍射谱(XRD )第41-42页
   (2) SiC/SiO_2纳米复合薄膜的FTIR第42-44页
   (3) SiC/SiO_2纳米复合薄膜的AFM第44页
   (4) SiC/SiO_2纳米复合薄膜的PL第44-47页
   (5) 电学特性分析第47-50页
   ·本章小结第50-51页
5 低介电常数纳米多孔SiO_2:F 的制备与特性研究第51-66页
   ·低介电常数材料研究的必要性第51-52页
   ·介电常数和降低介电常数的途径第52-54页
   ·低介电常数材料的类型第54-57页
     ·有机聚合物薄膜第54-55页
     ·无机介质材料第55-56页
     ·纳米多孔材料第56-57页
   ·纳米多孔SiO_2:F薄膜的特性研究第57-65页
     ·样品制备原理第57-58页
     ·样品制备第58-59页
     ·纳米多孔SiO_2: F 薄膜的参数表征第59-60页
     ·纳米多孔SiO_2: F 薄膜的漏电流密度第60-61页
     ·纳米多孔SiO_2: F 薄膜的AFM第61-62页
     ·纳米多孔SiO_2: F 薄膜的介电常数第62-64页
     ·纳米多孔SiO_2: F 薄膜的PL第64页
     ·纳米多孔SiO_2: F 薄膜的FTIR第64-65页
     ·结果和讨论第65页
   ·本章小结第65-66页
结论第66-68页
参考文献第68-76页
致谢第76-77页
攻读学位期间取得的科研成果清单第77页

论文共77页,点击 下载论文
上一篇:鼻咽癌转移相关基因表达谱的研究
下一篇:从语文课程角度探讨农村留守儿童教育问题与对策--以贵州纳雍县三中为个案