摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-9页 |
1 绪论 | 第9-22页 |
·引言 | 第9-10页 |
·SiC 的结构特性和生长 | 第10-15页 |
·SiC | 第10-11页 |
·SiC 的特性 | 第11-13页 |
·SiC 的生长 | 第13-15页 |
·SiC 的研究现状 | 第15-20页 |
·SiC 发光特性的研究 | 第15-19页 |
(1) 发光模型 | 第15-16页 |
(2) 多孔SiC的发光研究 | 第16-18页 |
(3) 纳米SiC薄膜的发光研究 | 第18-19页 |
·SiC 电学特性的研究 | 第19-20页 |
·SiC 光电器件的研究 | 第20页 |
·本论文的选题依据和研究思路 | 第20-21页 |
·本章小结 | 第21-22页 |
2 实验设备与测试表征技术 | 第22-31页 |
·实验设备系统简介 | 第22-24页 |
·射频溅射系统 | 第22-23页 |
·退火热处理系统 | 第23-24页 |
·实验主要材料 | 第24页 |
·样品的测试和表征 | 第24-30页 |
·结构和成分测试技术 | 第24-26页 |
(1) X 射线衍射谱(XRD ) | 第24-25页 |
(2) 傅立叶红外变换谱(FTIR ) | 第25页 |
(3) 紫外-可见光谱(UV-Vis.) | 第25-26页 |
·形貌测试技术 | 第26-27页 |
(1) 扫描电子显微镜(SEM ) | 第26页 |
(2) 原子力显微镜(AFM ) | 第26-27页 |
·光学特性测试技术 | 第27-28页 |
·电学特性测试技术 | 第28-30页 |
·本章小结 | 第30-31页 |
3 SiC/多孔玻璃颗粒膜的制备和特性研究 | 第31-38页 |
·样品的制备 | 第31页 |
·玻璃衬底的处理 | 第31页 |
·SiC/多孔玻璃颗粒膜的制备过程 | 第31页 |
·特性研究 | 第31-37页 |
·玻璃衬底多孔结构的形成过程 | 第31-32页 |
·光致发光谱(PL)分析 | 第32-34页 |
·紫外透射谱(UV-Vis)分析 | 第34-35页 |
·扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第35-36页 |
·SiC/多孔玻璃发光机理 | 第36-37页 |
·本章小结 | 第37-38页 |
4 SiC/SiO_2 纳米复合薄膜的制备和特性研究 | 第38-51页 |
·样品的制备 | 第38页 |
·硅衬底的处理 | 第38页 |
·SiC/SiO_2纳米复合薄膜的制备过程 | 第38页 |
·特性研究 | 第38-50页 |
·SiC 薄膜沉积时间对样品结构和发光性能的影响 | 第38-41页 |
(1) 样品制备 | 第38-39页 |
(2) 结构和发光性能分析 | 第39-41页 |
·退火温度对SiC/SiO_2 纳米复合薄膜的影响 | 第41-50页 |
(1) SiC/SiO_2纳米复合薄膜的X射线衍射谱(XRD ) | 第41-42页 |
(2) SiC/SiO_2纳米复合薄膜的FTIR | 第42-44页 |
(3) SiC/SiO_2纳米复合薄膜的AFM | 第44页 |
(4) SiC/SiO_2纳米复合薄膜的PL | 第44-47页 |
(5) 电学特性分析 | 第47-50页 |
·本章小结 | 第50-51页 |
5 低介电常数纳米多孔SiO_2:F 的制备与特性研究 | 第51-66页 |
·低介电常数材料研究的必要性 | 第51-52页 |
·介电常数和降低介电常数的途径 | 第52-54页 |
·低介电常数材料的类型 | 第54-57页 |
·有机聚合物薄膜 | 第54-55页 |
·无机介质材料 | 第55-56页 |
·纳米多孔材料 | 第56-57页 |
·纳米多孔SiO_2:F薄膜的特性研究 | 第57-65页 |
·样品制备原理 | 第57-58页 |
·样品制备 | 第58-59页 |
·纳米多孔SiO_2: F 薄膜的参数表征 | 第59-60页 |
·纳米多孔SiO_2: F 薄膜的漏电流密度 | 第60-61页 |
·纳米多孔SiO_2: F 薄膜的AFM | 第61-62页 |
·纳米多孔SiO_2: F 薄膜的介电常数 | 第62-64页 |
·纳米多孔SiO_2: F 薄膜的PL | 第64页 |
·纳米多孔SiO_2: F 薄膜的FTIR | 第64-65页 |
·结果和讨论 | 第65页 |
·本章小结 | 第65-66页 |
结论 | 第66-68页 |
参考文献 | 第68-76页 |
致谢 | 第76-77页 |
攻读学位期间取得的科研成果清单 | 第77页 |