| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·AZO 薄膜的研究及应用现状 | 第11-13页 |
| ·ZnO 纳米材料的研究及应用现状 | 第13-16页 |
| ·紫外探测技术的研究及应用现状 | 第16-17页 |
| ·本论文研究目的、意义和内容 | 第17-20页 |
| 第二章 AZO 晶种薄膜的生长及特性研究 | 第20-46页 |
| ·AZO 晶种薄膜的制备 | 第20-22页 |
| ·AZO 晶种薄膜的实验设备及材料 | 第20-21页 |
| ·AZO 晶种薄膜实验过程及工艺参数 | 第21-22页 |
| ·AZO 薄膜的生长模型及光电特性形成机理 | 第22-29页 |
| ·AZO 薄膜的生长机理 | 第23-26页 |
| ·AZO 薄膜的导电机理及透光机制 | 第26-29页 |
| ·AZO 晶种薄膜的表征结果及分析 | 第29-45页 |
| ·溅射时间对AZO 晶种薄膜的影响 | 第29-34页 |
| ·溅射功率对AZO 晶种薄膜的影响 | 第34-38页 |
| ·基底温度对AZO 晶种薄膜的影响 | 第38-42页 |
| ·工作气压对AZO 晶种薄膜的影响 | 第42-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第三章 ZnO 纳米阵列生长及特性研究 | 第46-59页 |
| ·ZnO 纳米阵列的制备 | 第46-48页 |
| ·ZnO 纳米阵列的实验设备及材料 | 第46-47页 |
| ·ZnO 纳米阵列实验过程及工艺参数 | 第47-48页 |
| ·ZnO 纳米阵列生长机理的研究 | 第48-51页 |
| ·ZnO 纳米阵列表征结果及分析 | 第51-58页 |
| ·溶液浓度对纳米阵列的影响 | 第51-53页 |
| ·生长时间对纳米阵列的影响 | 第53-55页 |
| ·生长温度对纳米阵列的影响 | 第55-56页 |
| ·纳米垂直测试结构的性质研究 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 紫外光电导特性研究 | 第59-79页 |
| ·紫外光电探测器概述 | 第59-64页 |
| ·光电探测器原理 | 第59-61页 |
| ·光电探测器分类 | 第61-63页 |
| ·ZnO 紫外光电导特性响应机制 | 第63-64页 |
| ·垂直测试结构的制备及探测系统的搭建 | 第64-65页 |
| ·不同晶种层上ZnO 纳米阵列的紫外特性差异 | 第65-70页 |
| ·不同晶种上ZnO 纳米阵列形貌以及结构的差异 | 第65-68页 |
| ·不同晶种上ZnO 纳米阵列紫外光电导特性差异 | 第68-70页 |
| ·退火对ZnO 纳米阵列结构及紫外光电导特性的影响 | 第70-74页 |
| ·退火温度对ZnO 纳米阵列形貌及结构的影响 | 第70-72页 |
| ·退火温度对ZnO 纳米阵列紫外光电导特性的影响 | 第72-74页 |
| ·退火对高阻AZO 薄膜结构及紫外光电导特性的影响 | 第74-78页 |
| ·退火温度对高阻AZO 薄膜结构及形貌的影响 | 第74-76页 |
| ·退火温度对高阻AZO 薄膜紫外光电导特性的影响 | 第76-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 第五章 结论与展望 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-86页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第86-87页 |