| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-14页 |
| ·等离子体技术及其应用 | 第9-10页 |
| ·等离子体化学气相沉积技术 | 第10页 |
| ·等离子体诊断技术 | 第10-11页 |
| ·本论文研究的目的和意义 | 第11-12页 |
| 参考文献 | 第12-14页 |
| 第二章 等离子体物理基础 | 第14-25页 |
| ·等离子体中基本粒子间的相互作用 | 第14-16页 |
| ·气体放电基础 | 第16-19页 |
| ·电子碰撞电离 | 第16页 |
| ·离子、原子碰撞电离 | 第16-17页 |
| ·逐级碰撞电离 | 第17-18页 |
| ·负离子的形成和电荷转移 | 第18页 |
| ·气体放电过程中的复合过程 | 第18-19页 |
| ·等离子体的基本性质 | 第19-22页 |
| ·等离子体的温度T_e | 第20-21页 |
| ·双极性扩散效应 | 第21页 |
| ·等离子体鞘的形成 | 第21-22页 |
| ·辉光放电的性质及其规律 | 第22-24页 |
| ·直流辉光放电 | 第22-23页 |
| ·射频辉光放电 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-25页 |
| 第三章 PECVD技术及其物理基础 | 第25-30页 |
| ·PECVD系统中的等离子体性质 | 第25-26页 |
| ·PECVD制膜工艺 | 第26-27页 |
| ·PECVD设备 | 第26页 |
| ·PECVD中薄膜的沉积过程 | 第26-27页 |
| ·PECVD中SiCl_4／H_2辉光放电等离子体的空间气相反应 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-30页 |
| 第四章 Langmuir探针诊断技术 | 第30-35页 |
| ·探针诊断技术 | 第30-32页 |
| ·探针诊断原理 | 第30-31页 |
| ·射频干扰的抑制 | 第31-32页 |
| ·“中毒”效应的消除 | 第32页 |
| ·可移动探针的设计 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-35页 |
| 第五章 Ar等离子体中电子空间特性的探针诊断 | 第35-46页 |
| ·前言 | 第35页 |
| ·实验装置及坐标轴的选取 | 第35-37页 |
| ·实验装置 | 第35-36页 |
| ·坐标轴的选取 | 第36-37页 |
| ·Ar等离子体中电子特性随工艺条件的变化规律 | 第37-39页 |
| ·气压的影响 | 第37-38页 |
| ·功率的影响 | 第38-39页 |
| ·Ar等离子体中电子特性的空间分布规律 | 第39-41页 |
| ·Ar等离子体电子特性的轴向分布 | 第39-40页 |
| ·Ar等离子体电子特性的径向分布 | 第40-41页 |
| ·PECVD系统中等离子体中电子浓度N_E径向分布的理论模型 | 第41-44页 |
| ·小结 | 第44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 第六章 SiCl_4／H_2等离子体中电子空间特性的探针诊断 | 第46-53页 |
| ·前言 | 第46-47页 |
| ·SiCl_4／H_2等离子体中电子特性随工艺条件的变化规律 | 第47-50页 |
| ·气压的影响 | 第47-48页 |
| ·功率的影响 | 第48-49页 |
| ·氢稀释的影响 | 第49-50页 |
| ·SiCl_4／H_2等离子体中电子特性的径向分布规律 | 第50-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第七章 多晶硅薄膜的光照稳定性研究 | 第53-62页 |
| ·前言 | 第53页 |
| ·三种光诱导现象 | 第53-54页 |
| ·样品的制备及实验方法 | 第54-55页 |
| ·样品的制备 | 第55页 |
| ·实验方法 | 第55页 |
| ·实验结果 | 第55-60页 |
| ·样品的Raman谱 | 第56页 |
| ·a-Si光照电导率随光照时间的变化 | 第56-57页 |
| ·pc-Si光照电导率随光照时间的变化 | 第57-60页 |
| ·结果分析 | 第60-61页 |
| ·小结 | 第61页 |
| 参考文献 | 第61-62页 |
| 第八章 结论与展望 | 第62-63页 |
| 硕士期间撰写的论文 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
