中文摘要 | 第1-3页 |
英文摘要 | 第3-4页 |
目录 | 第4-6页 |
第一章 绪论 | 第6-18页 |
·磁电阻效应 | 第6-12页 |
·引言 | 第6页 |
·MR效应的分类及产生机理 | 第6-11页 |
·MR效应的应用 | 第11-12页 |
·Ni-Mn-Ga合金及其磁电阻效应 | 第12-14页 |
·本文研究的目的、意义及内容 | 第14-15页 |
·参考文献 | 第15-18页 |
第二章 样品的制备与测试技术 | 第18-24页 |
·薄膜衬底的选择与清洗 | 第18页 |
·电子束蒸发制备原理 | 第18-19页 |
·XRD的测量原理 | 第19-20页 |
·AFM的测量原理 | 第20-21页 |
·SEM的测量原理 | 第21-22页 |
·磁电阻测量技术 | 第22页 |
·磁性的测量 | 第22-23页 |
·参考文献 | 第23-24页 |
第三章 不同成分的Ni-Mn-Ga薄膜的输运行为 | 第24-36页 |
·引言 | 第24页 |
·无搀杂的Ni-Mn-Ga薄膜 | 第24-30页 |
·实验过程 | 第24-25页 |
·实验结果和分析 | 第25-30页 |
·搀杂Co的Ni-Mn-Ga | 第30-34页 |
·实验过程 | 第30页 |
·实验结果和分析 | 第30-34页 |
·参考文献 | 第34-36页 |
第四章 制备工艺对Ni-Mn-Ga薄膜输运行为的影响 | 第36-52页 |
·引言 | 第36页 |
·不同的衬底温度对Ni-Mn-Ga薄膜性能的影响 | 第36-41页 |
·实验过程 | 第36页 |
·实验结果和分析 | 第36-41页 |
·不同沉积时间对Ni-Mn-Ga薄膜性能的影响 | 第41-50页 |
·实验过程 | 第41页 |
·实验结果和分析 | 第41-50页 |
·参考文献 | 第50-52页 |
第五章 不同衬底对Ni-Mn-Ga薄膜输运行为的影响 | 第52-64页 |
·引言 | 第52页 |
·硅衬底与多孔硅衬底 | 第52-57页 |
·实验过程 | 第52页 |
·实验结果和分析 | 第52-57页 |
·硅衬底与氧化硅衬底 | 第57-59页 |
·实验过程 | 第57页 |
·实验结果和分析 | 第57-59页 |
·硅衬底与氧化硅衬底 | 第59-63页 |
·实验过程 | 第59页 |
·实验结果和分析 | 第59-63页 |
·参考文献 | 第63-64页 |
第六章 结论 | 第64-65页 |
攻读学位期间发表及即将发表的学术论文 | 第65-66页 |
致谢 | 第66页 |