| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 序言 | 第10-52页 |
| §1.1 纳米结构 | 第10-20页 |
| ·纳米尺度科学与技术 | 第10-12页 |
| ·纳米材料和纳米结构 | 第12-13页 |
| ·纳米结构的制备 | 第13-20页 |
| ·纳米结构的性质研究 | 第20页 |
| §1.2 脉冲激光沉积(PLD)技术简介 | 第20-23页 |
| §1.3 扫描探针显微术简介 | 第23-33页 |
| ·扫描隧道显微术简介 | 第24-27页 |
| ·原子力显微书简介 | 第27-32页 |
| ·磁力显微术和扫描近场光学显微术简介 | 第32-33页 |
| §1.4 TiO_2薄膜 | 第33-38页 |
| ·TiO_2的结构与性质 | 第33-35页 |
| ·TiO_2的应用 | 第35-36页 |
| ·TiO_2薄膜的制备 | 第36-38页 |
| §1.5 TiSi_2量子点 | 第38-46页 |
| ·高熔点硅化物 | 第38-39页 |
| ·二硅化钛 | 第39-46页 |
| §1.6 本文的主要研究工作 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-52页 |
| 第二章 超高真空变温STM系统的建设与改进 | 第52-76页 |
| §2.1 超高真空系统 | 第52-58页 |
| ·真空的意义 | 第52-54页 |
| ·超高真空系统 | 第54-55页 |
| ·超高真空的获得 | 第55-57页 |
| ·超高真空的测量 | 第57-58页 |
| §2.2 样品传递 | 第58-60页 |
| §2.3 STM的完善 | 第60-73页 |
| ·样品台和底座的设计 | 第60-64页 |
| ·震动的隔离 | 第64-69页 |
| ·电磁噪音的屏蔽 | 第69-72页 |
| ·变温系统 | 第72-73页 |
| §2.4 总结 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-76页 |
| 第三章 TiSi_2纳米岛的制备和性质研究 | 第76-104页 |
| §3.1 引言 | 第76-77页 |
| §3.2 TiSi_2纳米岛的制备与结构研究 | 第77-92页 |
| ·TiSi_2纳米岛的制备 | 第77-79页 |
| ·样品表面形貌研究 | 第79-84页 |
| ·样品结构研究 | 第84-85页 |
| ·样品成分分析 | 第85-88页 |
| ·讨论:TiSi_2纳米岛的形成 | 第88-92页 |
| §3.3 TiSi_2纳米岛扫描隧道谱研究 | 第92-100页 |
| ·TiO_2薄膜的I-V特性 | 第93页 |
| ·TiSi_2纳米岛的I-V特性 | 第93-96页 |
| ·讨论:TiSi_2纳米岛的输运性质 | 第96-100页 |
| §3.4 本章小结 | 第100-102页 |
| 参考文献 | 第102-104页 |
| 第四章 激光对吸附在Si(111)7×7和Si(100)2×1表面上的C_(60)的不同作用 | 第104-114页 |
| §4.1 引言 | 第104-105页 |
| §4.2 实验过程 | 第105-107页 |
| ·样品制备 | 第105页 |
| ·激光作用 | 第105-107页 |
| §4.3 实验结果与讨论 | 第107-111页 |
| ·Si(111)7×7表面 | 第107-109页 |
| ·Si(100)2×1表面 | 第109-110页 |
| ·讨论 | 第110-111页 |
| §4.4 本章小结 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-114页 |
| 第五章 TiO_2薄膜分层起泡的研究 | 第114-136页 |
| §5.1 引言 | 第114-115页 |
| §5.2 样品制备与表征 | 第115-118页 |
| ·TiO_2靶的制备 | 第115-116页 |
| ·实验装置 | 第116-117页 |
| ·样品制备 | 第117-118页 |
| ·样品的表征 | 第118页 |
| §5.3 实验结果与讨论 | 第118-131页 |
| ·样品的表面形貌 | 第118-122页 |
| ·样品的成分分析 | 第122-123页 |
| ·样品的内部结构分析 | 第123-125页 |
| ·讨论 | 第125-129页 |
| ·结论 | 第129-131页 |
| §5.4 本章小结 | 第131-133页 |
| 参考文献 | 第133-136页 |
| 读博期间完成的论文 | 第136页 |