| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-24页 |
| ·引言 | 第10-12页 |
| ·磁电阻效应分类概述 | 第12-18页 |
| ·正常的磁电阻(OMR) | 第12-13页 |
| ·各向异性磁电阻(AMR) | 第13页 |
| ·多层膜中的巨磁电阻(GMR) | 第13-14页 |
| ·自旋阀结构中的巨磁电阻效应(Spin Valves) | 第14-16页 |
| ·金属颗粒膜中的巨磁电阻效应 | 第16页 |
| ·氧化物中的超巨磁电阻效应(CMR) | 第16-17页 |
| ·铁磁隧道结中的巨磁电阻效应(TMR) | 第17-18页 |
| ·巨磁电阻材料的应用 | 第18-23页 |
| ·高灵敏度GMR 传感器 | 第19页 |
| ·高密度磁记录读出磁头 | 第19-21页 |
| ·磁电阻随机存储器(MRAM) | 第21-22页 |
| ·其他类型磁电阻器件 | 第22-23页 |
| ·本论文研究的内容及意义 | 第23-24页 |
| 第2章 磁电阻理论 | 第24-36页 |
| ·磁性物质介绍 | 第24-27页 |
| ·抗磁性(Diamagnetic ) | 第24-25页 |
| ·顺磁性(Paramagnetic) | 第25页 |
| ·反铁磁性(Anti-ferromagnetic) | 第25-26页 |
| ·铁磁性(Ferromagnetic) | 第26-27页 |
| ·亚铁磁性(Ferrimagnetic) | 第27页 |
| ·巨磁电阻效应的机制 | 第27-29页 |
| ·自旋极化 | 第27-28页 |
| ·自旋相关散射 | 第28-29页 |
| ·自旋弛豫 | 第29页 |
| ·巨磁效应理论解释 | 第29-33页 |
| ·Mott 模型 | 第29-31页 |
| ·Julliere 模型 | 第31-32页 |
| ·Slonczewski 模型 | 第32-33页 |
| ·影响 GMR 效应的主要因素 | 第33-35页 |
| ·层间耦合对 GMR 效应的影响 | 第33-34页 |
| ·磁/非磁界面对 GMR 效应的影响 | 第34页 |
| ·过度层和覆盖层对 GMR 效应的影响 | 第34-35页 |
| ·温度对 GMR 效应的影响 | 第35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第3章 薄膜制备及测试方法 | 第36-47页 |
| ·镀膜方法简介 | 第36-42页 |
| ·蒸镀法 | 第36-39页 |
| ·溅射法 | 第39-42页 |
| ·测试方法简介 | 第42-46页 |
| ·振动样品磁强计(VSM) | 第42-43页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第43-44页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第44-45页 |
| ·反射型椭偏仪 | 第45页 |
| ·四探针测试法 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第4章 实验设计与内容 | 第47-52页 |
| ·实验设计 | 第47-51页 |
| ·磁控溅射装置 | 第47-48页 |
| ·衬底基片的准备 | 第48页 |
| ·靶材与掩膜 | 第48-49页 |
| ·隧道结的制备 | 第49-50页 |
| ·隧道结磁电阻的测量 | 第50-51页 |
| ·实验内容 | 第51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第5章 实验结果与分析 | 第52-64页 |
| ·隧道结的伏安特性 | 第52-54页 |
| ·隧道结的磁电阻效应 | 第54-57页 |
| ·中间绝缘层与磁电阻的关系 | 第57-60页 |
| ·铁磁层厚度与磁电阻的关系 | 第60-61页 |
| ·退火温度与隧道结磁电阻的关系 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |