| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 引言 | 第10-12页 |
| 第一章 基本理论 | 第12-29页 |
| ·量子阱、超晶格的类型 | 第12-16页 |
| ·半导体能带结构的特征 | 第12页 |
| ·组分超晶格 | 第12-14页 |
| ·掺杂超晶格 | 第14-16页 |
| ·超晶格的性质 | 第16-27页 |
| ·超晶格的电子状态特征参数 | 第16页 |
| ·单一势阱中的电子状态 | 第16-19页 |
| ·超晶格中的电子状态 | 第19-22页 |
| ·光学性质 | 第22-27页 |
| ·超晶格材料的应用 | 第27-28页 |
| ·选题动机 | 第28-29页 |
| 第二章 材料制备 | 第29-41页 |
| ·超晶格材料制备方法 | 第29-36页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第29-34页 |
| ·金属有机化合物气相沉积(MOCVD) | 第34页 |
| ·化学束外延(CBE) | 第34-35页 |
| ·原子层外延(ALE) | 第35页 |
| ·热壁外延生长(HWE) | 第35-36页 |
| ·其它技术 | 第36页 |
| ·样品的制备 | 第36-41页 |
| ·衬底表面净化 | 第36-37页 |
| ·掺杂 | 第37-38页 |
| ·制备GaAs／Al_(0.3)Ga_(0.7)As超晶格样品 | 第38-41页 |
| 第三章 实验结果及分析 | 第41-57页 |
| ·GaAs／Al_(0.3)Ga_(0.7)As超晶格的光致发光 | 第41-45页 |
| ·GaAs／Al_(0.3)Ga_(0.7)As超晶格的光致发光谱 | 第41-42页 |
| ·分析讨论 | 第42-45页 |
| ·GaAs／Al_(0.3)Ga_(0.7)As超晶格的拉曼散射 | 第45-48页 |
| ·GaAs／Al_(0.3)Ga_(0.7)As超晶格的拉曼散射谱 | 第45-46页 |
| ·分析讨论 | 第46-48页 |
| ·GaAs／Al_(0.3)Ga_(0.7)As超晶格的光电流 | 第48-57页 |
| ·GaAs／Al_(0.3)Ga_(0.7)As超晶格光电流谱 | 第48-49页 |
| ·分析讨论 | 第49-57页 |
| 第四章 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第65-66页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第66页 |
