| 1 绪论 | 第1-24页 |
| ·碳化硅材料的结构、性能及应用 | 第10-15页 |
| ·碳化硅的结构与性能 | 第10-12页 |
| ·碳化硅的应用 | 第12-15页 |
| ·碳化硅工业制备方法和工艺研究的现状与发展 | 第15-20页 |
| ·碳化硅的工业制备方法现状与发展 | 第15-19页 |
| ·碳化硅合成工艺的现状及发展 | 第19-20页 |
| ·研究背景及意义 | 第20页 |
| ·研究目标和研究内容 | 第20-21页 |
| ·研究思路 | 第21-22页 |
| ·多热源法电工 SiC 中试实验 | 第21页 |
| ·合成炉内温度方程的求解及叠加计算 | 第21页 |
| ·多热源多向流体系中温度、热流强度和温度梯度的变化规律 | 第21页 |
| ·炉芯数目判定模型 | 第21-22页 |
| ·合成效果及影响因素 | 第22页 |
| ·研究方法 | 第22-23页 |
| ·技术路线 | 第23-24页 |
| 2 合成实验 | 第24-35页 |
| ·实验原料 | 第24-27页 |
| ·碳质原料 | 第24-26页 |
| ·硅质原料 | 第26页 |
| ·食盐 | 第26-27页 |
| ·实验设备 | 第27-28页 |
| ·工艺流程 | 第28-29页 |
| ·合成实验 | 第29-32页 |
| ·单热源法电工碳化硅合成实验 | 第29-30页 |
| ·多热源电工碳化硅合成实验 | 第30-31页 |
| ·电工碳化硅工业试验 | 第31-32页 |
| ·测试 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 3 多热源碳化硅合成炉内温度方程的求解和叠加计算 | 第35-51页 |
| ·碳化硅合成炉内传热方式的分析 | 第35-36页 |
| ·碳化硅合成炉内的导热微分方程 | 第36-37页 |
| ·单热源作用下导热微分方程的求解 | 第37-39页 |
| ·二热源共同作用下的温度场叠加计算及实例分析 | 第39-44页 |
| ·二热源共同作用下的温度场叠加计算 | 第39-42页 |
| ·双热源作用时炉内温度变化计算实例 | 第42-44页 |
| ·多热源共同作用下的温度场 | 第44-45页 |
| ·多热源炉内不同区域的温度分布 | 第45-49页 |
| ·结晶区内温度分布 | 第46-47页 |
| ·反应区内温度分布 | 第47-48页 |
| ·预热区内温度分布 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 4 多热源多向流体系中温度、热流强度和温度梯度的变化规律 | 第51-63页 |
| ·单热源作用下的温度、热流强度和温度梯度的变化规律 | 第51-56页 |
| ·二热源作用下的温度、热流强度和温度梯度的变化规律 | 第56-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 5 炉芯数目判定模型 | 第63-72页 |
| ·问题分析 | 第63-66页 |
| ·模型假设 | 第66页 |
| ·模型建立和求解 | 第66-69页 |
| ·模型的检验 | 第69-70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 6 合成效果与影响因素分析 | 第72-88页 |
| ·Acheson 法和多热源法合成效果 | 第72-81页 |
| ·两种方法合成炉内的温度场、热流矢量和温度梯度 | 第73-74页 |
| ·两种方法合成产物的 XRD 测试分析 | 第74-77页 |
| ·两种方法合成产物的 SEM 测试分析 | 第77-81页 |
| ·多热源合成时影响因素分析 | 第81-86页 |
| ·工艺对合成效果的影响 | 第81-83页 |
| ·炉芯间距对合成效果的影响 | 第83-84页 |
| ·炉芯表面负荷对合成效果的影响 | 第84-86页 |
| ·工业试验结果 | 第86-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 7 结论 | 第88-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-95页 |
| 附录 | 第95-107页 |
