| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-27页 |
| ·定向凝固技术的发展 | 第9-15页 |
| ·传统的定向凝固技术 | 第10-11页 |
| ·新型定向凝固技术 | 第11-14页 |
| ·定向凝固技术的应用及凝固理论的研究进展 | 第14-15页 |
| ·存在的问题及展望 | 第15页 |
| ·自生复合材料基本理论 | 第15-20页 |
| ·场发射的基本原理 | 第20-22页 |
| ·隧道效应 | 第20页 |
| ·F-N场发射公式 | 第20-21页 |
| ·尖端效应 | 第21-22页 |
| ·场发射材料的研究现状 | 第22-24页 |
| ·金属场致发射材料 | 第23页 |
| ·硅场致发射材料 | 第23页 |
| ·金刚石薄膜场致发射材料 | 第23页 |
| ·GaAs和GaN场致发射材料 | 第23-24页 |
| ·碳纳米管场致发射材料 | 第24页 |
| ·硅化物场致发射材料 | 第24页 |
| ·选题背景及研究意义 | 第24-25页 |
| ·本文的研究内容 | 第25-27页 |
| 第2章 实验装置和工艺 | 第27-36页 |
| ·浮区熔炼与电子束区熔技术 | 第27-29页 |
| ·电子束熔炼技术的应用 | 第29-31页 |
| ·电子束区熔设备(EBFZM) | 第31-32页 |
| ·实验设备照片 | 第31页 |
| ·设备简介 | 第31-32页 |
| ·电子束区熔实验工艺 | 第32-34页 |
| ·试样的实验前准备 | 第32-33页 |
| ·电子束区熔实验工艺 | 第33-34页 |
| ·主要工艺参数 | 第34页 |
| ·金相试样制备 | 第34-35页 |
| ·金相分析方法 | 第35-36页 |
| 第3章 Si—TaSi_2共晶体EBFZM凝固组织演化规律 | 第36-57页 |
| ·凝固组织形貌 | 第36页 |
| ·棒状组织的特征尺度 | 第36-40页 |
| ·凝固组织与工艺参数之间的关系 | 第40-44页 |
| ·共晶体中相的组成 | 第44-46页 |
| ·晶体中各相的生长机制 | 第46-52页 |
| ·Si基体TaSi_2纤维的位相关系 | 第46-48页 |
| ·小平面相—非小平面相的转变机制 | 第48-52页 |
| ·界面形态 | 第52-53页 |
| ·界面稳定性理论 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第4章 阴极阵列的制备工艺及场发射性能测试 | 第57-70页 |
| ·场发射性能与阴极阵列之间的关系 | 第57-58页 |
| ·阴极阵列制备工艺的探索 | 第58-62页 |
| ·Si-TaSi_2共晶自生复合材料的场发射性能 | 第62-67页 |
| ·测试场发射性能后的组织形貌 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |