YIG介质薄膜移相器的研制
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-20页 |
| ·绪论 | 第8-10页 |
| ·相控阵天线的相位扫描法基本原理 | 第10-12页 |
| ·移相器分类及工作原理 | 第12-17页 |
| ·铁氧体移相器 | 第13-14页 |
| ·半导体PIN 二极管移相器 | 第14页 |
| ·砷化镓MMIC 移相器 | 第14-15页 |
| ·MEMS 移相器 | 第15-16页 |
| ·铁电介质移相器 | 第16-17页 |
| ·微波移相器的技术指标 | 第17-18页 |
| ·本课题主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 YIG 材料与薄膜的制备与分析 | 第20-34页 |
| ·YIG 材料综述 | 第20-21页 |
| ·YIG 材料合成方法概述 | 第21-23页 |
| ·固相反应合成YIG 材料 | 第21页 |
| ·共沉淀法合成YIG 材料 | 第21-23页 |
| ·溶度积原理 | 第21-22页 |
| ·共沉淀法的优点 | 第22-23页 |
| ·YIG 原料溶液的配制 | 第23-25页 |
| ·铁、钇溶液的配制 | 第23页 |
| ·铁、钇溶液浓度的标定 | 第23-25页 |
| ·EDTA 的配制 | 第23-24页 |
| ·EDTA 滴定法测定Fe~3+、Y~3+的浓度 | 第24-25页 |
| ·共沉淀法合成YIG 材料的工艺 | 第25-27页 |
| ·原料的配比 | 第26页 |
| ·共沉淀 | 第26页 |
| ·洗涤 | 第26页 |
| ·烘干、研细 | 第26页 |
| ·烧结 | 第26-27页 |
| ·共沉淀法制备的YIG 材料的结果与讨论 | 第27-32页 |
| ·PH 值对YIG 相合成的影响 | 第28-29页 |
| ·共沉速度对YIG 相合成的影响 | 第29页 |
| ·烧结温度对YIG 相合成的影响 | 第29-30页 |
| ·组分配比对YIG 合成的影响 | 第30-31页 |
| ·保温时间对YIG 合成的影响 | 第31-32页 |
| ·YIG 薄膜的制备与分析 | 第32-34页 |
| 第三章 YIG 介质薄膜移相器的设计 | 第34-44页 |
| ·介质移相器基本结构与原理 | 第34-35页 |
| ·分布式电容负载结构介质移相器的参数计算 | 第35-41页 |
| ·采用共面波导结构的优点 | 第36页 |
| ·有限尺寸介质基片的共面波导的计算 | 第36-39页 |
| ·分布参数介质移相器特性参数的计算 | 第39-41页 |
| ·YIG 介质薄膜移相器的材料选择和尺寸计算 | 第41-44页 |
| ·基片材料的选择 | 第41-42页 |
| ·共面波导的导带厚度 | 第42页 |
| ·共面波导的中心导带宽度 | 第42-43页 |
| ·YIG 介质电容的间距 | 第43-44页 |
| 第四章 YIG 介质薄膜移相器的仿真与分析 | 第44-50页 |
| 第五章 YIG 介质薄膜移相器的制作与测试 | 第50-59页 |
| ·共面波导的制作 | 第50页 |
| ·YIG 介质薄膜电容的制作 | 第50-52页 |
| ·测试腔体的制作 | 第52页 |
| ·移相器的测试结果 | 第52-57页 |
| ·存在的问题及今后的研究方向 | 第57-59页 |
| 第六章 结论 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 附录 | 第64-66页 |
| 作者简介 | 第66页 |
