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氘—氘聚变反应高能γ射线产额的实验研究

中文摘要第1-6页
英文摘要第6-7页
第一章 引言第7-11页
第二章 国际研究状况第11-32页
 §2.1 国际实验研究现状第11-28页
 §2.2 国际理论研究现状第28-32页
第三章 实验研究计划第32-38页
 §3.1 高压倍加器上的实验工作及计划第32-35页
 §3.2 低能强流加速装置上的实验计划第35-38页
第四章 实验的难点及实验准备第38-44页
 §4.1 两次预备实验测量第38-40页
 §4.2 实验测量研究的难点第40-41页
 §4.3 实验研究的难点的解决方案第41页
 §4.4 本次实验测量的准备第41-44页
第五章 D(d,γ)~4He反应在300 keV的测量第44-57页
 §5.1 实验装置介绍第44-45页
 §5.2 实验电子学线路及数据获取系统第45-48页
 §5.3 实验的能量刻度第48-50页
 §5.4 实验测量第50-57页
第六章 NaI探测器对23.8 MeV γ射线的效率刻度第57-68页
 §6.1 几种刻度探测器23.8 MeV高能γ射线效率的方法第57-59页
 §6.2 NaI探测器对6.13 MeV和11.67 MeV γ射线的效率刻度第59-65页
 §6.3 Mont—Carlo计算的结果及校正第65-67页
 §6.4 Mont—Carlo计算的中子在碳酸锂石蜡中的衰减第67-68页
第七章 数据分析处理第68-81页
 §7.1 几种求NaI脉冲高度谱中23.8MeV峰面积的方法第68-70页
 §7.2 厚靶和薄靶的数据处理结果与分析第70-77页
 §7.3 d束流注入薄靶对测量的影响第77-79页
 §7.4 实验误差分析第79-80页
 §7.5 质心系(C)与实验室系(L)的转换第80-81页
第八章 问题的讨论和实验结论第81-84页
参考文献第84-86页
致谢第86-87页
在学发表的文章第87-88页
附录1 靶室设计图第88-89页
附录2 屏蔽体设计图第89-90页
附录3 MCNP计算输入文件及计算结果第90-97页
附录4 相关程序第97-102页
附录5 相关文献目录及摘要第102-105页

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