铁电存储器薄膜材料的Sol-Gel制备及性能研究
摘 要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-7页 |
1 绪论 | 第7-15页 |
·引言 | 第7页 |
·铁电材料基本性质 | 第7-9页 |
·铁电薄膜的制备技术 | 第9-11页 |
·铁电场效应晶体管的研究进展 | 第11-13页 |
·本文研究的主要内容 | 第13-15页 |
2 钛酸铋薄膜的制备及铁电性能的研究 | 第15-28页 |
·引言 | 第15-16页 |
·BTO铁电薄膜的制备 | 第16-19页 |
·硅基BTO铁电薄膜的微观性能分析 | 第19-22页 |
·BTO薄膜铁电性能的研究 | 第22-26页 |
·小结 | 第26-28页 |
3 锆钛酸铅薄膜的制备及铁电性能的研究 | 第28-41页 |
·引言 | 第28页 |
·PZT材料结构特征 | 第28-30页 |
·PZT铁电薄膜的制备 | 第30-34页 |
·PZT/PT铁电薄膜X射线衍射分析 | 第34-36页 |
·PZT铁电薄膜的铁电性能分析 | 第36-39页 |
·小结 | 第39-41页 |
4 基于静态电滞回线的铁电电容模型 | 第41-51页 |
·引言 | 第41页 |
·铁电薄膜电容的基本模型 | 第41-44页 |
·铁电薄膜电容模型的建立 | 第44-50页 |
·小结 | 第50-51页 |
5 总结 | 第51-53页 |
致 谢 | 第53-54页 |
参考文献 | 第54-62页 |
附录1 攻读学位期间发表的论文目录 | 第62页 |