| 第一章 绪论 | 第1-23页 |
| ·引言 | 第10-14页 |
| ·热释电红外探测器的工作原理及工作模式 | 第14-17页 |
| ·热释电红外探测器的工作原理 | 第14-15页 |
| ·热释电红外探测器的工作模式 | 第15-17页 |
| ·BST的结构性能与薄膜制备方法 | 第17-21页 |
| ·BST的结构性能 | 第17-19页 |
| ·BST薄膜的制备方法 | 第19-21页 |
| ·本论文的主要工作 | 第21-23页 |
| 第二章 实验方法 | 第23-31页 |
| ·BST薄膜沉积的工艺方法 | 第23-26页 |
| ·RF溅射原理 | 第23-24页 |
| ·RF溅射的特点及优势 | 第24页 |
| ·本研究所采用RF溅射系统简介 | 第24-26页 |
| ·微观分析方法 | 第26-29页 |
| ·X射线衍射原理 | 第26-27页 |
| ·SEM的工作原理 | 第27-28页 |
| ·AFM的工作原理 | 第28-29页 |
| ·介电性能测试方法 | 第29-31页 |
| 第三章 靶材的制备 | 第31-42页 |
| ·实验过程 | 第31-36页 |
| ·结果分析 | 第36-42页 |
| ·烧结温度及频率对样品的介电性能的影响 | 第36-37页 |
| ·样品的XRD分析 | 第37-39页 |
| ·样品的电镜扫描(SEM)分析 | 第39-40页 |
| ·介温曲线分析 | 第40-42页 |
| 第四章 BST薄膜的射频溅射工艺研究 | 第42-53页 |
| ·Pt/Ti/SiO2/Si基片热处理与BST同质缓冲层研究 | 第42-47页 |
| ·Pt/Ti/SiO2/Si基片热处理 | 第42-45页 |
| ·BST同质缓冲层研究 | 第45-47页 |
| ·工艺参数对BST薄膜表面形貌的影响 | 第47-51页 |
| ·沉积温度对BST薄膜表面形貌的影响 | 第47-48页 |
| ·溅射功率对BST薄膜表面形貌的影响 | 第48-49页 |
| ·气体总压对BST薄膜表面形貌的影响 | 第49-50页 |
| ·O2/Ar对BST薄膜表面形貌的影响 | 第50-51页 |
| ·BST结晶情况研究 | 第51-53页 |
| 第五章 BST薄膜电性能研究 | 第53-59页 |
| ·BST薄膜介电性能研究 | 第53-56页 |
| ·BST薄膜介电频谱特性 | 第53-54页 |
| ·BST薄膜的介温特性 | 第54-55页 |
| ·BST薄膜的C－V特性 | 第55-56页 |
| ·BST薄膜的漏电流特性 | 第56-59页 |
| 第六章 总结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 致 谢 | 第63页 |