| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 符号及缩写注释表 | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-27页 |
| 1．1 超导基本知识回顾 | 第9-10页 |
| 1．1．1 超导研究的诞生 | 第9页 |
| 1．1．2 超导体的基本性质 | 第9页 |
| 1．1．3 超导微观理论 | 第9-10页 |
| 1．2 超导材料发展历史简介 | 第10-11页 |
| 1．3 MgB_2超导电性的发现及新一轮超导研究热潮的兴起 | 第11-12页 |
| 1．4 MgB_2研究综述 | 第12-25页 |
| 1．4．1 超导机理研究 | 第12-14页 |
| 1．4．2 高压对MgB_2超导性能的影响 | 第14-15页 |
| 1．4．3 化学掺杂对MgB_2超导性能的影响 | 第15-16页 |
| 1．4．4 薄膜制备 | 第16-22页 |
| 1．4．5 线材和带材制备 | 第22-24页 |
| 1．4．6 相关超导体的发现 | 第24-25页 |
| 1．5 本论文工作的出发点和意义及主要内容 | 第25-27页 |
| 第2章 实验设备及薄膜分析方法 | 第27-33页 |
| 2．1 热丝CVD设备简介 | 第27-29页 |
| 2．2 真空蒸发镀膜简介 | 第29-31页 |
| 2．3 退火炉简介 | 第31-32页 |
| 2．4 薄膜分析方法 | 第32页 |
| 2．4．1 X射线衍射分析 | 第32页 |
| 2．4．2 成分分析 | 第32页 |
| 2．4．3 扫描电子显微分析 | 第32页 |
| 2．4．4 超导临界转变温度Tc的测量 | 第32页 |
| 2．5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 实验方法及过程 | 第33-41页 |
| 3．1 制备MgB_2超导薄膜的热力学理论指导 | 第33-34页 |
| 3．2 实验的前期准备工作 | 第34-36页 |
| 3．2．1 原材料的选取 | 第34-35页 |
| 3．2．2 载流气体的选择 | 第35页 |
| 3．2．3 基片的选择 | 第35-36页 |
| 3．3 实验参数的初步探索 | 第36-37页 |
| 3．3．1 前驱物硼（B）膜的沉积 | 第36页 |
| 3．3．2 Mg的蒸发温度 | 第36-37页 |
| 3．4 原位法制备MgB_2薄膜 | 第37-38页 |
| 3．5 非原位法制备MgB_2薄膜 | 第38-40页 |
| 3．6 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 实验结果分析与讨论 | 第41-61页 |
| 4．1 原位法制备的MgB_2超导薄膜分析 | 第41-53页 |
| 4．1．1 HFCVD原位制备的MgB_2超导薄膜分析 | 第41-49页 |
| 4．1．2 HPCVD原位制备的MgB_2超导薄膜分析 | 第49-53页 |
| 4．2 非原位法制备MgB_2薄膜 | 第53-60页 |
| 4．2．1 前驱物B膜的相分析和表面形貌分析 | 第53-55页 |
| 4．2．2 600 ℃制备的B膜的非原位退火结果 | 第55-56页 |
| 4．2．3 300 ℃制备的B膜的非原位退火结果 | 第56-60页 |
| 4．3 本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 作者简介 | 第70页 |
