| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 引言 | 第8-10页 |
| 第一章 文献综述 | 第10-25页 |
| ·背景综述 | 第10-12页 |
| ·红外探测器 | 第12-15页 |
| ·表征探测器性能的基本参数 | 第15-19页 |
| ·GaInAsSb和GaSb的材料特性 | 第19-21页 |
| ·室温GaInAsSb红外探测器 | 第21-23页 |
| ·小结与展望 | 第23-25页 |
| 第二章 GaInAsSb探测器的器件工艺与器件模型 | 第25-37页 |
| ·器件制作工艺与测试 | 第25-29页 |
| ·器件制作工艺 | 第25-27页 |
| ·器件测试 | 第27-29页 |
| ·GaInAsSb探测器的器件模型 | 第29-33页 |
| ·器件等效电路 | 第33-34页 |
| ·计算结果与讨论 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 欧姆接触研究 | 第37-57页 |
| ·欧姆接触理论 | 第37-41页 |
| ·金属-半导体接触 | 第37-38页 |
| ·电流传输机理 | 第38-39页 |
| ·输运方程 | 第39-41页 |
| ·欧姆接触电阻的计算公式 | 第41页 |
| ·比接触电阻测试方法 | 第41-43页 |
| ·欧姆接触制作工艺 | 第43-44页 |
| ·结果与讨论 | 第44-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 GaInAsSb探测器硫钝化研究 | 第57-66页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ半导体表面钝化介绍 | 第57-58页 |
| ·GaInAsSb探测器硫化铵钝化 | 第58-61页 |
| ·硫钝化机制研究 | 第61-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 抗反射膜研究 | 第66-74页 |
| ·单层膜的光学特性 | 第66-69页 |
| ·单层抗反射膜设计 | 第69-70页 |
| ·光学薄膜材料选择 | 第70页 |
| ·抗反射膜实验与测试 | 第70-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 第六章 放大电路相关研究 | 第74-82页 |
| ·光伏型红外探测器的工作方式 | 第74-77页 |
| ·放大电路设计 | 第77-81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 第七章 结论 | 第82-84页 |
| 附录: 器件模型程序 | 第84-89页 |
| 参考文献 | 第89-94页 |
| 发表文章 | 第94-95页 |
| 致谢 | 第95页 |