| 第一部分 高稳定金属膜电阻器溅射靶材的研制 | 第1-33页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| 1．1 电阻器的发展概况 | 第8-9页 |
| 1．2 电阻器的分类 | 第9-11页 |
| 1．2．1 根据电阻器用途分类 | 第9-10页 |
| 1．2．2 根据电阻体材料分类 | 第10-11页 |
| 1．3 金属膜电阻器及其发展概况 | 第11-15页 |
| 第二章 金属膜电阻器薄膜的制备方法 | 第15-21页 |
| 2．1 真空蒸发镀膜法 | 第15-16页 |
| 2．2 溅射镀膜法 | 第16-19页 |
| 2．2．1 溅射的基本原理 | 第17页 |
| 2．2．2 磁控溅射 | 第17-19页 |
| 2．3 其他薄膜制备方法 | 第19-21页 |
| 第三章 溅射靶材的选择与制备 | 第21-29页 |
| 3．1 金属膜电阻器靶材的分类 | 第21-26页 |
| 3．1．1 镍—铬（Ni-Cr）系电阻合金 | 第22-23页 |
| 3．1．2 铬—硅（Cr-Si）系电阻合金 | 第23-25页 |
| 3．1．3 铬—一氧化硅（Cr-SiO）系电阻合金 | 第25-26页 |
| 3．2 靶材的制备 | 第26-28页 |
| 3．3 靶材的性能 | 第28-29页 |
| 第四章 结果与讨论 | 第29-33页 |
| 4．1 靶材的成分设计 | 第29-31页 |
| 4．2 靶材的制备技术 | 第31-33页 |
| 第二部分 高稳定金属膜电阻器涂料基体的研究 | 第33-66页 |
| 第五章 绪论 | 第34-43页 |
| 5．1 环氧树脂在电子工业中的应用 | 第35-38页 |
| 5．1．1 环氧树脂的特点和作用 | 第35-36页 |
| 5．1．2 国外技术开发方向 | 第36-38页 |
| 5．2 有机硅在电子工业中的应用 | 第38-40页 |
| 5．2．1 有机硅材料适于电子工业的特点 | 第38-39页 |
| 5．2．2 有机硅材料在热传导产品中的应用 | 第39-40页 |
| 5．3 拟采取的实验方法及理论分析 | 第40-43页 |
| 5．3．1 基体树脂的选择 | 第40-41页 |
| 5．3．2 优异的耐热性能的实现 | 第41-42页 |
| 5．3．3 优异的耐湿性能的实现 | 第42-43页 |
| 第六章 纳米材料在高分子复合材料中的应用 | 第43-54页 |
| 6．1 纳米材料的特点 | 第43-44页 |
| 6．2 纳米高分子复合材料 | 第44-47页 |
| 6．2．1 纳米高分子复合材料的分类 | 第44-45页 |
| 6．2．2 纳米高分子复合材料的制备方法 | 第45-46页 |
| 6．2．3 纳米高分子复合材料的应用 | 第46-47页 |
| 6．3 纳米SiO_2在纳米复合材料中的应用 | 第47-54页 |
| 6．3．1 改性与分散 | 第48-49页 |
| 6．3．2 纳米SiO_2对复合材料机械性能的影响 | 第49-52页 |
| 6．3．3 纳米SiO_2对复合材料电学性能的影响 | 第52-54页 |
| 第七章 纳米SiO_2改性有机硅/环氧树脂的制备及性能 | 第54-65页 |
| 7．1 复合材料的制备 | 第54-57页 |
| 7．1．1 有机硅树脂的合成 | 第54-55页 |
| 7．1．2 纳米SiO_2改性有机硅环氧缩聚物的合成 | 第55-57页 |
| 7．1．3 测试方法 | 第57页 |
| 7．2 结果与讨论 | 第57-64页 |
| 7．2．1 IR分析 | 第57-59页 |
| 7．2．2 TGA分析 | 第59-61页 |
| 7．2．3 SEM分析 | 第61-64页 |
| 7．3 结论 | 第64-65页 |
| 第八章 总结和未来的工作设想 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 攻读博士期间撰写与发表的论文 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
