第一章 前言 | 第1-26页 |
1.1 引言 | 第12页 |
1.2 纳米材料的基本概念 | 第12-13页 |
1.3 纳米材料的基本特性 | 第13-16页 |
1.3.1 量子尺寸效应 | 第13-14页 |
1.3.2 小尺寸效应 | 第14页 |
1.3.3 表面效应 | 第14-15页 |
1.3.4 宏观量子隧道效应 | 第15页 |
1.3.5 库仑堵塞与量子遂穿 | 第15页 |
1.3.6 介电限域效应 | 第15-16页 |
1.4 纳米阵列体系 | 第16-20页 |
1.4.1 纳米结构自组装体系 | 第17-18页 |
1.4.2 纳米人工组装体系 | 第18-20页 |
1.5 氧化铝模板合成纳米阵列 | 第20-24页 |
1.5.1 模板合成方法中常用模板 | 第20-21页 |
1.5.2 多孔氧化铝模板制备阵列体系的方法 | 第21-23页 |
1.5.3 模板合成方法的发展方向与展望 | 第23-24页 |
1.6 本课题研究的主要内容及意义 | 第24-26页 |
第二章 多孔氧化铝膜的结构形貌与生长机理 | 第26-38页 |
2.1 引言 | 第26页 |
2.2 实验过程 | 第26-29页 |
2.2.1 实验装置 | 第26-27页 |
2.2.2 一次腐蚀膜的制备 | 第27页 |
2.2.3 二次腐蚀膜的制备 | 第27-28页 |
2.2.4 实验观察 | 第28-29页 |
2.3 结果与分析 | 第29-37页 |
2.3.1 多孔氧化铝膜的结构和形貌 | 第29-33页 |
2.3.1.1 有关的多孔氧化铝模型 | 第29-30页 |
2.3.1.2 多孔氧化铝膜的X-Ray衍射分析 | 第30-31页 |
2.3.1.3 电镜观察与分析 | 第31-33页 |
2.3.2 多孔氧化铝的生长机理的研究 | 第33-37页 |
2.4 本章小结 | 第37-38页 |
第三章 多孔氧化铝模板的制备 | 第38-53页 |
3.1 引言 | 第38-39页 |
3.2 电化学抛光对成膜的影响 | 第39-44页 |
3.2.1 实验过程 | 第39页 |
3.2.2 结果与分析 | 第39-44页 |
3.2.2.1 SEM观察与分析 | 第39-43页 |
3.2.2.2 AFM观察与分析 | 第43-44页 |
3.3 铝片的性质对成膜的影响 | 第44-46页 |
3.3.1 实验过程 | 第44页 |
3.3.2 结果与分析 | 第44-46页 |
3.3.2.1 铝片的纯度对成膜的影响 | 第44-46页 |
3.3.2.2 退火状态对成膜的影响 | 第46页 |
3.4 制备工艺对成膜的影响 | 第46-50页 |
3.4.1 实验过程 | 第46-47页 |
3.4.1.1 实验参数的选择 | 第46-47页 |
3.4.1.2 实验观察与数据测量 | 第47页 |
3.4.2 结果与分析 | 第47-50页 |
3.4.2.1 电压、温度、浓度对膜厚的影响 | 第47-48页 |
3.4.2.2 电压、温度、浓度对表面孔径的影响 | 第48-49页 |
3.4.2.3 电压、温度、浓度对孔排布规律性的影响 | 第49-50页 |
3.4.2.4 时间对多孔氧化铝膜成膜的影响 | 第50页 |
3.5 二次腐蚀对成膜的影响 | 第50-52页 |
3.6 本章小结 | 第52-53页 |
第四章 直流电沉积Ni,Co-Al_2O_3阵列的结构和磁学性能 | 第53-70页 |
4.1 引言 | 第53-54页 |
4.2 实验方法 | 第54-55页 |
4.2.1 直流沉积Ni、Co磁性金属 | 第54页 |
4.2.2 结构观察与磁性测试 | 第54-55页 |
4.3 结果与分析 | 第55-69页 |
4.3.1 氧化铝模板组装的技术要点 | 第55页 |
4.3.2 直流电沉积的实验装置与分析 | 第55-57页 |
4.3.3 二次腐蚀膜的开孔SEM观察和分析 | 第57-58页 |
4.3.4 直流电沉积对氧化铝模板厚度的要求与控制 | 第58-59页 |
4.3.5 直流电沉积金属TEM观察与分析 | 第59-62页 |
4.3.6 X-RAY衍射分析与讨论 | 第62页 |
4.3.7 Ni、Co氧化铝组装体系的磁性研究 | 第62-69页 |
4.3.7.1 Ni、Co磁性金属简介 | 第62-63页 |
4.3.7.2 垂直磁记录简介 | 第63页 |
4.3.7.3 组装体系的磁性研究 | 第63-66页 |
4.3.7.4 多孔氧化铝膜对组装阵列体系磁性的影响 | 第66-67页 |
4.3.7.5 组装体系磁性的可控特性 | 第67-69页 |
4.4 本章小结 | 第69-70页 |
第五章 全文结论 | 第70-72页 |
参考文献 | 第72-75页 |