| 中文摘要 | 第1-9页 |
| 英文摘要 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-19页 |
| §1．1 高频、微波功率晶体管的进展 | 第12-14页 |
| §1．2 硅双极功率晶体管存在的主要问题 | 第14-17页 |
| §1．2．1 功率和频率的矛盾 | 第14-15页 |
| §1．2．2 可靠性问题 | 第15-17页 |
| §1．3 本文的主要工作 | 第17-19页 |
| 第二章 深阱结终端技术 | 第19-41页 |
| §2．1 引言 | 第19-20页 |
| §2．2 深阱结终端结构技术 | 第20-37页 |
| §2．2．1 深阱结终端结构及工作原理 | 第20-22页 |
| §2．2．2 阱区宽度对器件特性的影响 | 第22-26页 |
| §2．2．3 阱的深度对器件特性的影响 | 第26-30页 |
| §2．2．4 阱的形状对击穿电压的影响 | 第30-31页 |
| §2．2．5 阱区填充介质对器件性能的影响 | 第31-34页 |
| §2．2．6 界面电荷对器件性能的影响 | 第34-36页 |
| §2．2．7 带有场板的阱终端结构 | 第36-37页 |
| §2．3 实验结果 | 第37-38页 |
| §2．4 本章小结 | 第38-41页 |
| 第三章 梳状集电结（基区）结构技术 | 第41-60页 |
| §3．1 前言 | 第41-44页 |
| §3．2 梳状集电结（基区）结构器件及工作原理 | 第44-45页 |
| §3．3 梳状集电结（基区）结构与器件特性的关系 | 第45-56页 |
| §3．3．1 计算分析 | 第45-47页 |
| §3．3．2 梳状集电结（基区）结构器件的散热特性 | 第47-50页 |
| §3．3．3 梳状集电结（基区）结构器件的击穿特性 | 第50页 |
| §3．3．4 梳状集电结（基区）结构器件的电流特性 | 第50-51页 |
| §3．3．5 梳状集电结（基区）结构器件的频率特性 | 第51-54页 |
| §3．3．6 模拟分析 | 第54-56页 |
| §3．4 工艺制作与实验结果 | 第56-58页 |
| §3．5 本章小结 | 第58-60页 |
| 第四章 非均匀双向镇流技术 | 第60-77页 |
| §4．1 引言 | 第60-61页 |
| §4．2 不同镇流条件下的温度分布 | 第61-68页 |
| §4．2．1 镇流电阻的一般设计 | 第61-62页 |
| §4．2．2 管芯温度分布计算 | 第62-65页 |
| §4．2．3 均匀镇流电阻下的温度分布 | 第65-66页 |
| §4．2．4 非均匀镇流电阻的温度分布 | 第66-68页 |
| §4．3 非均匀双向镇流电阻 | 第68-74页 |
| §4．3．1 扩散镇流电阻 | 第68-71页 |
| §4．3．2 多晶硅镇流电阻 | 第71-72页 |
| §4．3．3 非均匀双向镇流电阻的设计 | 第72-74页 |
| §4．4 实验结果 | 第74页 |
| §4．5 本章小结 | 第74-77页 |
| 第五章 V系热敏电阻过温保护技术 | 第77-88页 |
| §5．1 前言 | 第77-79页 |
| §5．2 V系PTC热敏电阻 | 第79-80页 |
| §5．2．1 特性与应用前景 | 第79页 |
| §5．2．2 材料组成与工艺制作 | 第79-80页 |
| §5．3 V系CTR热敏电阻 | 第80-87页 |
| §5．3．1 在双极功率管中的应用研究 | 第80-81页 |
| §5．3．2 薄膜制备与组成分析 | 第81-83页 |
| §5．3．3 过温保护实验 | 第83-84页 |
| §5．3．4 计算分析 | 第84-87页 |
| §5．4 本章小结 | 第87-88页 |
| 第六章 硅双极功率管中的SIPOS结构 | 第88-100页 |
| §6．1 前言 | 第88-90页 |
| §6．2 SIPOS膜的钝化原理 | 第90-92页 |
| §6．3 SIPOS膜的制备与结果 | 第92-93页 |
| §6．4 SIPOS膜特性分析 | 第93-95页 |
| §6．4．1 XPS能谱技术分析SIPOS膜 | 第93-94页 |
| §6．4．2 SIPOS膜的电学特性 | 第94-95页 |
| §6．5 SIPOS膜的应用 | 第95-99页 |
| §6．5．1 台面二极管的钝化 | 第95-96页 |
| §6．5．2 双极功率晶体管中的SIPOS结构 | 第96-99页 |
| §6．6 本章小结 | 第99-100页 |
| 第七章 内匹配技术 | 第100-111页 |
| §7．1 前言 | 第100-101页 |
| §7．2 高频、微波功率晶体管的阻抗参数 | 第101-103页 |
| §7．3 高频、微波功率晶体管内匹配网络的设计 | 第103-108页 |
| §7．3．1 匹配网络的设计考虑 | 第103-105页 |
| §7．3．2 输入端匹配网络设计方法 | 第105-106页 |
| §7．3．3 输出端内匹配网络设计方法 | 第106-108页 |
| §7．4 内匹配网络的设计实例 | 第108-110页 |
| §7．5 本章小结 | 第110-111页 |
| 第八章 结束语 | 第111-116页 |
| 参考文献 | 第116-127页 |
| 致谢 | 第127-128页 |
| 作者近期的学术论文 | 第128页 |
