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三维互连凸点电迁移有限元模拟

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-10页
第一章 绪论第10-19页
   ·微电子封装技术第10-11页
   ·芯片封装技术中的电迁移问题第11-16页
     ·倒装芯片封装技术中的失效与可靠性问题第12-14页
     ·倒装芯片封装中凸点电迁移的问题第14-15页
     ·电迁移测量与可靠性试验第15-16页
   ·国内外电迁移问题的研究现状第16页
   ·研究的主要内容和意义第16-19页
第二章 微电子器件与芯片电迁移的基本原理第19-25页
   ·电迁移现象第19-23页
     ·电子风第20-21页
     ·由电子风驱动的原子迁移扩散第21-22页
     ·中值失效时间(Mean Time-to-Failure)公式第22-23页
   ·有效电荷数的计算第23页
   ·其它引起原子迁移扩散的驱动力第23-25页
第三章 电迁移数学模型及材料物理参数第25-36页
   ·电迁移的数学模型第25-27页
     ·电子迁移第25-26页
     ·热迁移第26页
     ·应力迁移第26-27页
     ·电迁移总表达式第27页
   ·电迁移与时间相关的数学模型第27-29页
     ·电子迁移的散度计算第27页
     ·热迁移的散度计算第27-28页
     ·应力迁移的散度计算第28页
     ·总的电迁移散度第28页
     ·电迁移空洞的形成判据第28-29页
   ·互连凸点焊锡材料一般的物理常量第29-30页
   ·互连凸点焊锡材料的热物理性能第30-36页
     ·焊锡材料的有效电荷数第30-32页
     ·焊锡材料的莫尔热流量第32页
     ·焊锡材料的自扩散系数第32-33页
     ·焊锡材料的激活能第33-35页
     ·小结第35-36页
第四章 三维电迁移有限元模拟算法第36-46页
   ·电迁移模拟方法第36-38页
     ·电迁移有限元分析理论第37页
     ·电迁移耦合场分析第37-38页
   ·算法流程图第38-42页
   ·子模型技术第42-43页
   ·空洞形成算法第43-44页
   ·间接法的模型重构第44页
   ·应力与散度重构第44-46页
第五章 芯片封装的电迁移应用实例第46-60页
   ·CSP互连凸点电迁移仿真应用第46-50页
     ·倒装尺寸芯片CSP仿真模型第46-48页
     ·材料参数第48-50页
   ·直接法与间接法的对比第50-53页
   ·材料的影响第53-55页
   ·电迁移空洞形成和扩展以及寿命预测模拟第55-60页
     ·有铅材料SnPb应力,空洞形成与寿命模拟第55-58页
     ·无铅材料SnAgCu应力,空洞形成与寿命模拟第58-60页
第六章 互连凸点电迁移的各参数分析研究第60-70页
   ·电流大小对电迁移的影响第60-62页
   ·不同焊球形状参数对电迁移的影响第62-64页
   ·不同引线宽对电迁移的影响第64-66页
   ·不同UBM尺寸对电迁移的影响第66-70页
第七章 总结第70-72页
   ·总结第70-71页
   ·进一步的工作第71-72页
参考文献第72-78页
攻读学位期间参加的科研工作与发表的论文第78-79页
致谢第79页

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