内容提要 | 第1-9页 |
第1章 绪论 | 第9-27页 |
§1.1 概述 | 第9-12页 |
·高温超导材料的发展 | 第9-10页 |
·高温超导应用研究的发展 | 第10-11页 |
·高温超导微波器件的发展 | 第11-12页 |
§1.2 YBCO外延薄膜和厚膜的生长 | 第12-21页 |
·高温超导体YBCO的基本性质 | 第12-14页 |
·常见的几种YBCO外延膜制备工艺及特点 | 第14-21页 |
§1.3 大面积YBCO外延膜的主要应用及市场前景 | 第21-22页 |
§1.4 大面积YBCO外延膜生长所用衬底的选择 | 第22-24页 |
§1.5 光辅助MOCVD技术简述 | 第24-26页 |
·光辅助MOCVD的理论基础 | 第24-26页 |
·光辅助MOCVD法制备YBCO膜的进展 | 第26页 |
§1.6 本论文的主要工作 | 第26-27页 |
第2章 光辅助MOCVD系统设计及样品的表征 | 第27-50页 |
§2.1 MOCVD工艺介绍 | 第27-30页 |
·普通的MOCVD | 第27-29页 |
·YBCO薄膜制备所用的MOCVD | 第29-30页 |
§2.2 光辅助MOCVD系统的设计 | 第30-41页 |
·金属有机源供给方案 | 第31-33页 |
·混气室 | 第33-34页 |
·单一倾斜进气口的不锈钢反应腔 | 第34-35页 |
·气体输运装置 | 第35-36页 |
·腔内输运特性的计算机模拟 | 第36-39页 |
·高效率水冷灯罩置于真空反应腔内部 | 第39页 |
·衬底托盘及衬底温度探测 | 第39-41页 |
§2.3 衬底基片清洗工艺 | 第41页 |
§2.4 YBCO薄膜样品特性的表征 | 第41-49页 |
·扫描电子显微镜观测 | 第41-43页 |
·晶体质量的X射线衍射表征 | 第43-46页 |
·小片超导样品的超导性质SQUID测试 | 第46-48页 |
·大面积超导薄膜的J_c扫描测试 | 第48页 |
·超导薄膜微波表面电阻的测量 | 第48-49页 |
§2.5 本章小结 | 第49-50页 |
第3章 YBCO外延膜的生长工艺优化及外延生长机理 | 第50-85页 |
§3.1 引言 | 第50页 |
§3.2 光辅助MOCVD系统原材料选择及参数优化 | 第50-67页 |
·金属有机源及其挥发速率比例的控制 | 第50-53页 |
·O_2与N_2O混合作为氧化气体 | 第53-54页 |
·c轴向YBCO外延膜生长所需的精确衬底温度 | 第54-62页 |
·利用有机源挥发速率控制薄膜生长速率 | 第62-65页 |
·通过工艺调节显著节省原材料 | 第65-67页 |
§3.3 独特的YBCO类单晶外延膜 | 第67-78页 |
·类单晶外延膜的晶体质量 | 第67-70页 |
·YBCO类单晶膜的生长机理 | 第70-76页 |
·层层生长与岛状生长的YBCO薄膜 | 第76-78页 |
§3.4 纯c轴向YBCO外延薄膜表面的杂质颗粒 | 第78-83页 |
·山丘状杂质外形及成因 | 第78-82页 |
·山丘状杂质的去除 | 第82-83页 |
§3.5 本章小结 | 第83-85页 |
第4章 较大面积的YBCO外延膜的制备 | 第85-105页 |
§4.1 针对大面积生长对系统进行的调整 | 第85-86页 |
§4.2 较厚的1″YBCO外延膜的制备 | 第86-98页 |
·衬底不旋转条件下制备的1″YBCO外延膜 | 第86-94页 |
·衬底旋转改善1″YBCO外延膜的均匀性 | 第94-98页 |
§4.3 较薄的直径1″的YBCO外延薄膜 | 第98-100页 |
§4.4 直径2″YBCO外延薄膜的试制 | 第100-103页 |
§4.5 本章小结 | 第103-105页 |
第5章 多个卤钨灯光照均匀性的模拟计算 | 第105-119页 |
§5.1 点光源产生的辐射照度 | 第105-106页 |
§5.2 线段光源在与之平行的平面上产生的辐射照度分布 | 第106-107页 |
§5.3 平均辐射照度 | 第107-109页 |
§5.4 平铺的5个卤钨灯光照均匀度模拟 | 第109-118页 |
·模型简化 | 第109-111页 |
·托盘中心2″范围内的光辐射照度分布 | 第111-114页 |
·旋转托盘中心2″范围内的时间平均辐射照度 | 第114-118页 |
§5.5 本章小结 | 第118-119页 |
第6章 本论文创新点和主要结论 | 第119-122页 |
参考文献 | 第122-133页 |
攻读博士期间已发表的学术论文 | 第133-134页 |
摘要 | 第134-137页 |
Abstract | 第137-141页 |
致谢 | 第141-142页 |