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以光辅助MOCVD法制备大面积YBa2Cu3O7-x高质量高温超导外延膜的初步研究

内容提要第1-9页
第1章 绪论第9-27页
 §1.1 概述第9-12页
     ·高温超导材料的发展第9-10页
     ·高温超导应用研究的发展第10-11页
     ·高温超导微波器件的发展第11-12页
 §1.2 YBCO外延薄膜和厚膜的生长第12-21页
     ·高温超导体YBCO的基本性质第12-14页
     ·常见的几种YBCO外延膜制备工艺及特点第14-21页
 §1.3 大面积YBCO外延膜的主要应用及市场前景第21-22页
 §1.4 大面积YBCO外延膜生长所用衬底的选择第22-24页
 §1.5 光辅助MOCVD技术简述第24-26页
     ·光辅助MOCVD的理论基础第24-26页
     ·光辅助MOCVD法制备YBCO膜的进展第26页
 §1.6 本论文的主要工作第26-27页
第2章 光辅助MOCVD系统设计及样品的表征第27-50页
 §2.1 MOCVD工艺介绍第27-30页
     ·普通的MOCVD第27-29页
     ·YBCO薄膜制备所用的MOCVD第29-30页
 §2.2 光辅助MOCVD系统的设计第30-41页
     ·金属有机源供给方案第31-33页
     ·混气室第33-34页
     ·单一倾斜进气口的不锈钢反应腔第34-35页
     ·气体输运装置第35-36页
     ·腔内输运特性的计算机模拟第36-39页
     ·高效率水冷灯罩置于真空反应腔内部第39页
     ·衬底托盘及衬底温度探测第39-41页
 §2.3 衬底基片清洗工艺第41页
 §2.4 YBCO薄膜样品特性的表征第41-49页
     ·扫描电子显微镜观测第41-43页
     ·晶体质量的X射线衍射表征第43-46页
     ·小片超导样品的超导性质SQUID测试第46-48页
     ·大面积超导薄膜的J_c扫描测试第48页
     ·超导薄膜微波表面电阻的测量第48-49页
 §2.5 本章小结第49-50页
第3章 YBCO外延膜的生长工艺优化及外延生长机理第50-85页
 §3.1 引言第50页
 §3.2 光辅助MOCVD系统原材料选择及参数优化第50-67页
     ·金属有机源及其挥发速率比例的控制第50-53页
     ·O_2与N_2O混合作为氧化气体第53-54页
     ·c轴向YBCO外延膜生长所需的精确衬底温度第54-62页
     ·利用有机源挥发速率控制薄膜生长速率第62-65页
     ·通过工艺调节显著节省原材料第65-67页
 §3.3 独特的YBCO类单晶外延膜第67-78页
     ·类单晶外延膜的晶体质量第67-70页
     ·YBCO类单晶膜的生长机理第70-76页
     ·层层生长与岛状生长的YBCO薄膜第76-78页
 §3.4 纯c轴向YBCO外延薄膜表面的杂质颗粒第78-83页
     ·山丘状杂质外形及成因第78-82页
     ·山丘状杂质的去除第82-83页
 §3.5 本章小结第83-85页
第4章 较大面积的YBCO外延膜的制备第85-105页
 §4.1 针对大面积生长对系统进行的调整第85-86页
 §4.2 较厚的1″YBCO外延膜的制备第86-98页
     ·衬底不旋转条件下制备的1″YBCO外延膜第86-94页
     ·衬底旋转改善1″YBCO外延膜的均匀性第94-98页
 §4.3 较薄的直径1″的YBCO外延薄膜第98-100页
 §4.4 直径2″YBCO外延薄膜的试制第100-103页
 §4.5 本章小结第103-105页
第5章 多个卤钨灯光照均匀性的模拟计算第105-119页
 §5.1 点光源产生的辐射照度第105-106页
 §5.2 线段光源在与之平行的平面上产生的辐射照度分布第106-107页
 §5.3 平均辐射照度第107-109页
 §5.4 平铺的5个卤钨灯光照均匀度模拟第109-118页
     ·模型简化第109-111页
     ·托盘中心2″范围内的光辐射照度分布第111-114页
     ·旋转托盘中心2″范围内的时间平均辐射照度第114-118页
 §5.5 本章小结第118-119页
第6章 本论文创新点和主要结论第119-122页
参考文献第122-133页
攻读博士期间已发表的学术论文第133-134页
摘要第134-137页
Abstract第137-141页
致谢第141-142页

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