| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-18页 |
| §1.1 电子与离子碰撞的基本物理过程及其研究意义 | 第9-12页 |
| §1.1.1 电子与离子碰撞的基本物理过程 | 第9-11页 |
| §1.1.2 双电子复合过程的研究意义 | 第11-12页 |
| §1.2 国内外的研究现状 | 第12-13页 |
| §1.3 本文的研究内容和完成情况 | 第13-15页 |
| 参考文献 | 第15-18页 |
| 第二章 双电子复合过程及其理论方法 | 第18-27页 |
| §2.1 双电子复合(DR)的基本物理过程、截面和速率系数计算公式 | 第18-21页 |
| §2.2 FAC程序包及其理论方法简介 | 第21-25页 |
| §2.2.1 FAC程序包简介 | 第21-22页 |
| §2.2.2 理论方法简介 | 第22-25页 |
| 参考文献 | 第25-27页 |
| 第三章 各物理因素对双电子复合过程的影响 | 第27-54页 |
| §3.1 各个芯激发系列的DR速率系数与l′的关系 | 第28-29页 |
| §3.2 DAC对DR速率系数的影响及外推规律 | 第29-32页 |
| §3.3 组态混合对双电子复合截面和速率系数的影响 | 第32-38页 |
| §3.3.1 组态混合对DR截面的影响 | 第34-35页 |
| §3.3.2 组态混合对速率系数的影响 | 第35-37页 |
| §3.3.3 类铜Au离子的DR速率系数 | 第37-38页 |
| §3.4 七个芯激发系列对类钴金离子基态DR速率系数的贡献 | 第38-45页 |
| §3.4.1 3s~23p~63d_(3/2)~33d_(5/2)~6n′l′系列 | 第38-39页 |
| §3.4.2 3s~23p~53d~(10)n′l′系列 | 第39-40页 |
| §3.4.3 3s3p~63d~(10)n′l′系列 | 第40-41页 |
| §3.4.4 3s~23p~63d~84ln′l′系列 | 第41-42页 |
| §3.4.5 3s~23p~53d~94ln′l′系列 | 第42-43页 |
| §3.4.6 3s3p~63d~94ln′l′系列 | 第43-44页 |
| §3.4.7 3s~23p~63d~85ln′l′系列 | 第44-45页 |
| §3.5 类钴金离子基态能级的总DR速率系数及与其它理论的比较 | 第45-48页 |
| §3.5.1 类钴金离子基态能级的总DR速率系数 | 第45-46页 |
| §3.5.2 总速率系数与其它理论的比较 | 第46-48页 |
| §3.6 类钴金离子基态电子组态的DR速率系数及与BM公式的比较 | 第48-51页 |
| §3.7 DR速率系数的拟合及DR截面 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第四章 类钴等电子系离子的DR过程的系统性研究 | 第54-79页 |
| §4.1 DR速率系数随角动量量子数l′的变化 | 第54-55页 |
| §4.2 DR速率系数随主量子数n′的变化 | 第55-58页 |
| §4.3 各芯激发系列的贡献及总的DR速率系数 | 第58-61页 |
| §4.4 类钴离子DR速率系数的等电子系拟合 | 第61-74页 |
| §4.5 精确计算的类钴钆和钽离子的DR速率系数与拟合值的比较 | 第74页 |
| §4.6 BM公式对类钴等电子系离子的适用性 | 第74-78页 |
| 参考文献 | 第78-79页 |
| 附录 硕士期间已发表与已投稿论文目录 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
