| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-17页 |
| ·光导开关的研究与进展 | 第8-11页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·光导开关的发展历史 | 第8-9页 |
| ·研究现状 | 第9-11页 |
| ·光导开关的基本工作原理 | 第11页 |
| ·PCSS的器件结构 | 第11页 |
| ·PCSS的基本工作原理 | 第11页 |
| ·PCSS的两种工作模式 | 第11-16页 |
| ·光导开关的线性工作模式及其特性 | 第12-13页 |
| ·光导开关的非线性工作模式极其特性 | 第13-16页 |
| ·线性工作模式和非线性工作模式特性比较 | 第16页 |
| ·小结 | 第16-17页 |
| 2 半绝缘GaAs光导开关中本征施主缺陷EL2的特性 | 第17-28页 |
| ·EL2的结构模型 | 第17页 |
| ·EL2的亚稳态特性 | 第17-19页 |
| ·EL2的浓度及其分布 | 第19-21页 |
| ·SI-GaAs中的EL2浓度与As原子百分比关系 | 第19-20页 |
| ·EL2浓度的分布 | 第20-21页 |
| ·SI-GaAs中EL2浓度的测量 | 第21-22页 |
| ·多波长红外吸收法测量EL2浓度 | 第21-22页 |
| ·热处理对SI-GaAs本征缺陷的影响 | 第22-27页 |
| ·热处理实验 | 第22-27页 |
| ·小结 | 第27-28页 |
| 3 EL2光淬灭过程中光电导增强(EPC)机理分析 | 第28-38页 |
| ·EL2光淬灭过程中光电导增强实验 | 第28-34页 |
| ·半绝缘GaAs单晶的生长工艺 | 第28-30页 |
| ·SI-GaAs的半绝缘特性的补偿机制 | 第30-32页 |
| ·电参数的热稳定性 | 第32页 |
| ·EL2能级光淬灭实验 | 第32-34页 |
| ·EL2光淬灭过程中光电导增强的机理分析和讨论 | 第34-36页 |
| ·结论 | 第36-38页 |
| 4 通过EL2深能级吸收1064nm激光脉冲的机理分析 | 第38-50页 |
| ·半导体对光的本征吸收 | 第38-40页 |
| ·半导体对光的吸收 | 第38-39页 |
| ·本征吸收 | 第39-40页 |
| ·用1064nm激光脉冲触发开关实验 | 第40-44页 |
| ·用1064nm激光脉冲触发开关实验结果 | 第40-42页 |
| ·用1064nm激光脉冲触发开光实验结果初步分析 | 第42-43页 |
| ·GaAs中与EL2能级有关的单光子吸收过程 | 第43页 |
| ·GaAs中非线性光学效应—双光子吸收过程 | 第43-44页 |
| ·GaAs光导开关超短电脉冲响应特性的研究 | 第44-47页 |
| ·输出超短电脉冲的上升时间和触发光能之间的关系及其分析 | 第44-47页 |
| ·EL2能级在光导开关各种工作模式中的作用 | 第47-49页 |
| ·EL2能级在线性工作模式中的作用 | 第47页 |
| ·EL2能级在非线性工作模式中的作用 | 第47-48页 |
| ·EL2能级在复合工作模式中的作用 | 第48-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 5.全文总结和展望 | 第50-52页 |
| ·全文总结 | 第50-51页 |
| ·展望 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 附录 | 第55页 |
| 在读期间发表的论文 | 第55页 |
