| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-18页 |
| ·研究背景 | 第12页 |
| ·光子晶体 | 第12-14页 |
| ·研究动态 | 第14-16页 |
| ·本文研究的内容和创新点 | 第16-18页 |
| 第2章 同轴布喇格反射器的耦合理论 | 第18-35页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·同轴布喇格结构 | 第18-20页 |
| ·耦合理论 | 第20-27页 |
| ·TM模式横向电场的耦合方程 | 第22-24页 |
| ·TM模式横向磁场的耦合方程 | 第24-26页 |
| ·TE模式电场和磁场的耦合方程 | 第26-27页 |
| ·转换系数 | 第27-32页 |
| ·横磁模电场之间或者磁场之间的转换系数 | 第28-29页 |
| ·横磁模电场之间或者磁场之间的转换系数 | 第29-31页 |
| ·不同模式电场或磁场之间的转换系数 | 第31-32页 |
| ·同轴波导函数的归一化 | 第32-34页 |
| ·横磁模本证矢量函数的归一化 | 第32-34页 |
| ·横电模本征矢量函数的归一化 | 第34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第3章 仿真软件CST的模型构建 | 第35-41页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·CST公司及产品 | 第35-36页 |
| ·CST微波工作室特点 | 第36-39页 |
| ·CST微波工作室的算法 | 第36-37页 |
| ·CST微波工作室的其它技术 | 第37-39页 |
| ·CST微波工作室的仿真步骤 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 同轴布喇格反射器波纹槽相位差和槽深影响的模拟研究 | 第41-52页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·仿真的方法 | 第41-43页 |
| ·仿真模型的实验验证 | 第43-46页 |
| ·波纹槽相位差对带宽的影响 | 第46-48页 |
| ·波纹槽深度对带宽的影响 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第5章 窗函数消除频率响应曲线残余旁瓣 | 第52-62页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·窗函数 | 第52-55页 |
| ·汉宁窗 | 第52-53页 |
| ·汉明窗 | 第53页 |
| ·布拉克曼窗 | 第53-54页 |
| ·高斯窗 | 第54-55页 |
| ·布喇格结构加窗技术 | 第55-61页 |
| ·结构加汉明窗 | 第55-56页 |
| ·结构加布拉克曼窗 | 第56-58页 |
| ·结构加高斯窗 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第6章 同轴布喇反射器偏心度影响的研究 | 第62-69页 |
| ·引言 | 第62页 |
| ·平行偏心对同轴布喇格反射器的影响 | 第62-65页 |
| ·实验参数 | 第63页 |
| ·平行偏心对布喇格反射器反射性能的影响 | 第63-65页 |
| ·倾斜偏心对同轴布喇格反射器的影响 | 第65-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第7章 结论 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-77页 |
| 附录A 电磁场的横向表示法 | 第77-79页 |
| 攻读硕士学位期间参加的科研项目和发表的论文 | 第79页 |