| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| §1-1 前言 | 第9-10页 |
| §1-2 半导体硅材料的发展趋势 | 第10-13页 |
| 1-2-1 现代特大规模集成电路对单晶硅材料的要求 | 第11页 |
| 1-2-2 硅单晶生长工艺的进展与发展动态 | 第11-12页 |
| 1-2-3 太阳能用硅材料的发展 | 第12-13页 |
| §1-3 半导体硅材料中的氧碳 | 第13-15页 |
| 1-3-1 单晶硅中氧碳的性质 | 第13-14页 |
| 1-3-2 CZSi 中氧碳的引入 | 第14页 |
| 1-3-3 CZSi 中氧碳的控制 | 第14-15页 |
| §1-4 直拉硅单晶的生长理论 | 第15-20页 |
| §1-5 本课题的研究内容及意义 | 第20-22页 |
| 第二章 计算机数值模拟简介 | 第22-40页 |
| §2-1 有限元法简介 | 第22-31页 |
| 2-1-1 加权余量法（WRM） | 第23-24页 |
| 2-1-2 迦辽金法 | 第24-27页 |
| 2-1-3 迦辽金（Galerkin）加权余量法 | 第27-31页 |
| §2-2 有限元软件系统简介 | 第31-33页 |
| 2-2-1 ANSYS 软件介绍 | 第32页 |
| 2-2-2 功能简介 | 第32-33页 |
| §2-3 有限元方法在晶体生长中的应用 | 第33-39页 |
| 2-3-1 CZSi 单晶生长系统中的输运现象 | 第33-36页 |
| 2-3-2 有限元法对熔体热场的求解要求 | 第36-39页 |
| §2-4 小结 | 第39-40页 |
| 第三章 加热系统的改进 | 第40-43页 |
| §3-1 双加热器的改造 | 第40-42页 |
| §3-2 小结 | 第42-43页 |
| 第四章 氩气导流系统的改进 | 第43-52页 |
| §4-1 氩气导流 | 第43-45页 |
| §4-2 热屏的添加对氩气流场的影响 | 第45-46页 |
| §4-3 导流筒的添加对氩气流场的影响 | 第46-51页 |
| §4-4 小结 | 第51-52页 |
| 第五章 熔体热场的数值模拟 | 第52-60页 |
| §5-1 直拉硅单晶生长过程中的热传输 | 第52-53页 |
| §5-2 熔体热对流 | 第53-55页 |
| §5-3 直拉硅单晶的减压工艺 | 第55-56页 |
| 5-3-1 减压工作的意义 | 第55页 |
| 5-3-2 工艺参数 | 第55-56页 |
| §5-4 热场的数值模拟 | 第56-59页 |
| §5-5 小结 | 第59-60页 |
| 第六章 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读硕士期间所取得的相关科研成果 | 第65页 |