| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第1章 引言 | 第7-26页 |
| ·概述 | 第7页 |
| ·高介电常数(high-k)电介质材料研究进展和研究意义 | 第7-21页 |
| ·高k栅介质薄膜材料的应用要求 | 第9-11页 |
| ·主要高k栅介质材料 | 第11-15页 |
| ·高k栅介质材料的制备 | 第15-16页 |
| ·栅介质薄膜的化学气相沉积(CVD)金属有机化合物前体 | 第16-21页 |
| ·胍的金属配合物 | 第21-25页 |
| ·论文的研究内容 | 第25-26页 |
| 第2章 Ta、Nb氨基化合物的合成与表征 | 第26-34页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·实验仪器与试剂 | 第26-27页 |
| ·实验仪器 | 第27页 |
| ·实验试剂 | 第27页 |
| ·TaCl_3[N(SiMe_3)_2]_2(1)的合成 | 第27-28页 |
| ·NbO[N(SiMe_3)_2]_3(2)的合成 | 第28-32页 |
| ·TaCl_3[N(SiMe_3)_2]_2(1)与LiNMe_2反应 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第3章 Zr、Hf氨基化合物的合成与表征 | 第34-49页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·实验仪器与试剂 | 第34-35页 |
| ·实验仪器 | 第34-35页 |
| ·实验试剂 | 第35页 |
| ·ZrCl[N(SiMe_3)_2]_3(3)和HfCl[N(SiMe_3)_2]_3(4)的合成 | 第35-43页 |
| ·ZrCl[N(SiMe_3)_2]_3(3)的合成 | 第35-36页 |
| ·HfCl[N(SiMe_3)_2]_3(4)的合成 | 第36-37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-43页 |
| ·ZrCl[N(SiMe_3)_2]_3(3)和HfCl[N(SiMe_3)_2]_3(4)与H_3SiPh的反应 | 第43-46页 |
| ·化合物(3)与H_3SiPh的反应 | 第43-44页 |
| ·化合物(4)与H_3SiPh的反应 | 第44页 |
| ·结果与讨论 | 第44-46页 |
| ·ZrCl[N(SiMe_3)_2]_3(3)和HfCl[N(SiMe_3)_2]_3(4)与LiNMe_2的反应 | 第46-48页 |
| ·ZrCl[N(SiMe_3)_2]_3(3)与LiNMe_2的反应 | 第46-47页 |
| ·HfCl[N(SiMe_3)_2]_3(4)与LiNMe_2的反应 | 第47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第4章 胍基化合物的合成与表征 | 第49-56页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·实验仪器与试剂 | 第49-50页 |
| ·实验仪器 | 第49-50页 |
| ·实验试剂 | 第50页 |
| ·原料的制备：胍基碱金属盐的合成 | 第50-52页 |
| ·LiCyN[N(SiMe_3)_2NCy的合成 | 第50-51页 |
| ·KCyN(N(SiMe_3)_2NCy的合成 | 第51-52页 |
| ·Ta胍基化合物的合成 | 第52-54页 |
| ·TaCl_5与Li(CyN-C-NCy)N(SiMe_3)_2的反应 | 第52-53页 |
| ·TaCl_5与K(CyN-C-NCy)N(SiMe_3)_2的反应 | 第53-54页 |
| ·结果与讨论 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第5章 结论与展望 | 第56-58页 |
| ·结论 | 第56页 |
| ·进一步工作的方向 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-67页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第67页 |
