| 中文摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-5页 |
| 中文文摘 | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 绪论 | 第9-13页 |
| 第一章 理论基础和材料模拟软件的介绍 | 第13-21页 |
| 第一节 密度泛函理论 | 第13-16页 |
| 第二节 局域密度近似 | 第16-17页 |
| 第三节 广义梯度近似 | 第17页 |
| 第四节 平面波方法 | 第17-18页 |
| 第五节 赝势方法 | 第18页 |
| 第六节 第一性原理计算 | 第18-20页 |
| 第七节 VASP软件包 | 第20-21页 |
| 第二章 过渡金属化合物CrTe电子结构和磁学性质 | 第21-32页 |
| 第一节 引言 | 第21页 |
| 第二节 模型及计算方法 | 第21-22页 |
| 第三节 CrTe的电子结构和磁学性质 | 第22-31页 |
| 1、NiAs相CrTe的电子结构和磁学性质 | 第23-26页 |
| 2、Zinc-blende相的CrTe电子结构和磁学性质 | 第26-29页 |
| 3、Wurtzite相CrTe电子结构和磁学性质 | 第29-31页 |
| 第四节 总结 | 第31-32页 |
| 第三章 V掺杂半导体ZnS和ZnSe半金属铁磁性研究 | 第32-38页 |
| 第一节 引言 | 第32页 |
| 第二节 计算方法 | 第32-33页 |
| 第三节 计算结果与讨论 | 第33-37页 |
| 1、ZnS与ZnSe几何结构及磁学性质 | 第33-34页 |
| 2、V掺杂ZnS、ZnSe几何结构和磁学性质 | 第34页 |
| 3、掺杂后的电子结构和费米面附近的电荷密度 | 第34-37页 |
| 第四节 结论 | 第37-38页 |
| 第四章 Cr掺杂半导体MgTe电子结构和磁学性质 | 第38-44页 |
| 第一节 引言 | 第38-39页 |
| 第二节 计算方法 | 第39页 |
| 第三节 结果与讨论 | 第39-43页 |
| 1、MgTe的电子结构和几何结构 | 第39-40页 |
| 2、Cr掺杂MgTe的磁学性质 | 第40-41页 |
| 3、W-Mg_(1-x)Cr_xTe电子结构 | 第41-42页 |
| 4、N-Mg_(1-x)Cr_xTe电子结构 | 第42-43页 |
| 第四节 结论 | 第43-44页 |
| 第五章 结论 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-52页 |
| 攻读学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 个人简历 | 第54-55页 |