| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-25页 |
| 第一章 绪论 | 第25-35页 |
| ·研究背景和意义 | 第25页 |
| ·国内外研究现状 | 第25-32页 |
| ·多晶硅薄膜材料晶粒间界的微观带隙能态研究 | 第26-27页 |
| ·多晶硅薄膜晶体管的器件模型研究 | 第27-31页 |
| ·单栅结构多晶硅TFT 建模的研究现状 | 第27-29页 |
| ·单栅结构多晶硅TFT 模型的最新进展 | 第29-30页 |
| ·双栅结构多晶硅TFT 的建模研究 | 第30-31页 |
| ·存在的主要问题 | 第31-32页 |
| ·主要研究内容及论文结构 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第二章 基于OEMS 表征的带隙能态分布 | 第35-51页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·OEMS 及其检测系统 | 第35-38页 |
| ·多晶硅薄膜晶界带隙能态的OEMS 检测技术 | 第35-36页 |
| ·OEMS 测量系统及检测样管 | 第36-38页 |
| ·多晶硅TFT 的OEMS 理论及其分析方法 | 第38-45页 |
| ·晶界带隙能态的光调制机理 | 第38-40页 |
| ·离散型带隙深能态的响应 | 第38-40页 |
| ·连续型带隙带尾态的响应 | 第40页 |
| ·适用于OEMS 的多晶硅TFT 沟道电流 | 第40-42页 |
| ·多晶硅TFT 的OEMS 响应谱和相延谱分析 | 第42-45页 |
| ·具有峰值光激发函数的晶界带隙能态分析 | 第43-44页 |
| ·具有单调光激发函数的晶界带隙能态分析 | 第44-45页 |
| ·OEMS 测量结果及讨论 | 第45-49页 |
| ·多晶硅TFT 的OEMS 测量结果及分析 | 第45-47页 |
| ·多晶硅TFT 晶粒间界带隙能态的提取及讨论 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第三章 单栅多晶硅TFT 的表面势算法及其电流模型 | 第51-75页 |
| ·引言 | 第51-53页 |
| ·表面势的非迭代算法 | 第53-59页 |
| ·漏电流的解析模型 | 第59-61页 |
| ·结果验证与讨论 | 第61-73页 |
| ·表面势算法的仿真验证 | 第61-64页 |
| ·漏电流模型的实验验证 | 第64-73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 第四章 双栅多晶硅TFT 的表面势算法及其电流模型 | 第75-96页 |
| ·引言 | 第75页 |
| ·双栅多晶硅TFT 的二维器件仿真 | 第75-77页 |
| ·表面势的快捷迭代算法 | 第77-83页 |
| ·漏电流的紧致模型 | 第83-85页 |
| ·结果验证与讨论 | 第85-95页 |
| ·表面势算法的仿真验证 | 第85-88页 |
| ·漏电流模型的仿真及实验验证 | 第88-95页 |
| ·本章小结 | 第95-96页 |
| 第五章 多晶硅TFT 的泄漏模型 | 第96-120页 |
| ·引言 | 第96-97页 |
| ·产生-复合（G - R）模型 | 第97-99页 |
| ·G - R 率的分区算法及其泄漏电流紧致模型 | 第99-109页 |
| ·低电场区 | 第101-104页 |
| ·中等电场区 | 第104-106页 |
| ·高电场区 | 第106-108页 |
| ·泄漏电流的紧致模型 | 第108-109页 |
| ·激活能的紧致模型 | 第109-111页 |
| ·泄漏区的低频噪声模型 | 第111-113页 |
| ·结果验证与讨论 | 第113-119页 |
| ·泄漏电流紧致模型的实验验证 | 第113-115页 |
| ·激活能模型的仿真验证 | 第115-118页 |
| ·低频噪声模型的实验验证 | 第118-119页 |
| ·本章小结 | 第119-120页 |
| 结论 | 第120-122页 |
| 参考文献 | 第122-135页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第135-136页 |
| 致谢 | 第136-137页 |
| 附件 | 第137页 |