| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 综述 | 第8-16页 |
| ·分子器件的定义 | 第8页 |
| ·单分子电子学发展背景及研究进展 | 第8-11页 |
| ·分子器件的新性质 | 第11-13页 |
| ·本论文工作的内容和意义 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-16页 |
| 第二章 多粒子体系中的电子结构理论 | 第16-27页 |
| ·多粒子微观体系的薛定谔方程 | 第17页 |
| ·Hartree-Fock 方程 | 第17-19页 |
| ·密度泛函理论 | 第19-23页 |
| ·Thomas-Fermi-Dirac 模型 | 第19-20页 |
| ·Hohenberg-Kohn 第一定理 | 第20页 |
| ·Hohenberg-Kohn 第二定理 | 第20页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第20-21页 |
| ·交换关联势相关泛函 | 第21-23页 |
| ·局域密度近似泛函(LDA) | 第21-22页 |
| ·广义梯度近似泛函(GGA) | 第22-23页 |
| ·杂化密度泛函 | 第23页 |
| ·电子结构计算的一般过程 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-27页 |
| 第三章 单分子电子器件中的电流计算理论 | 第27-44页 |
| ·简单单能级导电模型 | 第27-29页 |
| ·格林函数理论 | 第29-38页 |
| ·平衡格林函数 | 第30-33页 |
| ·非平衡格林函数理论 | 第33-34页 |
| ·非平衡格林函数在电子输运问题中的应用 | 第34-38页 |
| ·密度泛函理论与非平衡格林函数方法的整合 | 第38-39页 |
| ·计算软件介绍（Atomistix Toolkit2008+Virtual NanoLab） | 第39-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第四章 单分子器件电学特性研究 | 第44-58页 |
| ·单分子器件I-V 电学特性研究 | 第44-50页 |
| ·二硫基苯分子器件的I-V 电学特性曲线 | 第44-46页 |
| ·电极距离对单分子器件I-V 特性曲线的影响 | 第46-47页 |
| ·扩展分子的长度对单分子器件I-V 特性曲线的影响 | 第47-49页 |
| ·单分子器件在不同构象对器件I-V 特性曲线的影响 | 第49-50页 |
| ·单分子器件的整流效应 | 第50-53页 |
| ·具有负微分电阻效应的单分子器件接入电路中的混沌效应 | 第53-56页 |
| ·单分子器件的负微分电阻效应 | 第53-54页 |
| ·分子电子器的混沌电路模型 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| ·总结 | 第58-59页 |
| ·展望 | 第59-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表和待发表的论文 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
