| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·铁电薄膜材料 | 第10-16页 |
| ·铁电体 | 第10页 |
| ·铁电薄膜材料 | 第10-11页 |
| ·铁电薄膜材料 | 第11-13页 |
| ·铁电薄膜材料的应用 | 第13页 |
| ·铁电存储器 | 第13-16页 |
| ·辐射效应 | 第16-18页 |
| ·辐射环境 | 第16-17页 |
| ·辐射损伤机理 | 第17-18页 |
| ·铁电薄膜及器件的辐射研究 | 第18页 |
| ·本文的选题依据 | 第18-19页 |
| ·主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 BNT 铁电薄膜的CSD 法制备 | 第20-34页 |
| ·CSD 法的基本原理 | 第20-21页 |
| ·实验设备 | 第21-23页 |
| ·实验材料 | 第23-25页 |
| ·基片 | 第23-24页 |
| ·化学试剂 | 第24-25页 |
| ·铁电薄膜的制备工艺 | 第25-27页 |
| ·前躯体溶液配制 | 第25-26页 |
| ·薄膜制备 | 第26页 |
| ·电极制备 | 第26-27页 |
| ·铁电薄膜的测试与分析 | 第27-32页 |
| ·微观结构 | 第28-30页 |
| ·电学性能 | 第30-32页 |
| ·辐射实验 | 第32-34页 |
| 第三章 BNT 铁电薄膜辐射前后结构和性能分析 | 第34-49页 |
| ·辐射前的微观结构和电学性能 | 第34-37页 |
| ·微观结构分析 | 第34-36页 |
| ·电学性能分析 | 第36-37页 |
| ·5 Mrad(Si)/10 Mrad(Si)电子辐射后的电学性能 | 第37-43页 |
| ·辐射实验概述 | 第37页 |
| ·结果与分析 | 第37-43页 |
| ·100 Mrad(Si) γ射线辐射后的电学性能 | 第43-47页 |
| ·辐射实验概述 | 第43-44页 |
| ·结果与分析 | 第44-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 BNT 铁电薄膜的电离辐射机制 | 第49-58页 |
| ·电滞回线变化的电离辐射机制 | 第49-50页 |
| ·剩余极化强度减少 | 第49-50页 |
| ·电滞回线变形 | 第50页 |
| ·I-V 曲线变化的电离辐射机制 | 第50-54页 |
| ·导电模型 | 第50-52页 |
| ·I-V 特性变化 | 第52-54页 |
| ·两者内在联系 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 工作总结与展望 | 第58-60页 |
| ·工作总结 | 第58-59页 |
| ·工作展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和专利 | 第65页 |