| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-49页 |
| ·课题研究目的和意义 | 第11-14页 |
| ·LED 简介 | 第14-17页 |
| ·LED 发展历史 | 第14-16页 |
| ·LED 发光原理 | 第16-17页 |
| ·LED 芯片及国内外研究现状 | 第17-37页 |
| ·LED 外延生长技术与衬底材料 | 第17-19页 |
| ·LED 芯片结构研究现状 | 第19-23页 |
| ·LED 芯片光提取技术研究现状 | 第23-34页 |
| ·LED 芯片欧姆接触电极材料研究现状 | 第34-36页 |
| ·LED 建模仿真研究现状 | 第36-37页 |
| ·本文的研究内容 | 第37-39页 |
| 参考文献 | 第39-49页 |
| 第二章 LED 芯片理论建模和结构设计 | 第49-87页 |
| ·LED 芯片中光子的传输 | 第49-52页 |
| ·LED 芯片光学建模仿真 | 第52-65页 |
| ·LED 芯片光学建模的数值计算方法 | 第52-54页 |
| ·LED 芯片光学模型 | 第54-55页 |
| ·LED 芯片光学模型中各层材料的折射率 | 第55-58页 |
| ·LED 芯片光学模型中各层材料的吸收系数 | 第58-60页 |
| ·LED 芯片取光效率仿真结果 | 第60-65页 |
| ·LED 芯片三维电-热耦合模型 | 第65-71页 |
| ·LED 芯片有源区一维特性 | 第66-67页 |
| ·LED 芯片三维电流扩展特性 | 第67-69页 |
| ·LED 芯片中热的产生和传递 | 第69-71页 |
| ·LED 芯片电流扩展仿真结果及分析 | 第71-77页 |
| ·电极几何形状对电流扩展的影响 | 第71-74页 |
| ·ITO 透明导电层对电流扩展的影响 | 第74-75页 |
| ·台阶深度对电流扩展的影响 | 第75-77页 |
| ·LED 芯片结构设计 | 第77-83页 |
| ·集成蓝宝石图形衬底和图形化ITO 技术的LED 芯片结构设计 | 第78-81页 |
| ·表面微结构LED 芯片设计 | 第81-83页 |
| ·本章小结 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-87页 |
| 第三章 GaN 材料低损伤ICP 刻蚀技术研究 | 第87-120页 |
| ·等离子体的产生及基本性质 | 第87-90页 |
| ·德拜屏蔽和德拜长度 | 第88-89页 |
| ·等离子体鞘 | 第89-90页 |
| ·等离子中的碰撞 | 第90页 |
| ·Cl_2/BCl_3刻蚀GaN 的原理分析 | 第90-92页 |
| ·ICP 工艺参数对GaN 刻蚀速率的影响 | 第92-99页 |
| ·ICP 工艺参数对GaN 刻蚀形貌的影响 | 第99-105页 |
| ·GaN 与光刻胶的刻蚀选择比 | 第99-101页 |
| ·GaN 与二氧化硅的刻蚀选择比 | 第101-103页 |
| ·ICP 功率和RF 功率对微结构侧壁倾斜角的影响 | 第103-105页 |
| ·ICP 刻蚀对GaN 材料的损伤分析 | 第105-116页 |
| ·ICP 工艺参数对GaN 表面粗糙度的影响 | 第105-107页 |
| ·ICP 刻蚀工艺参数与GaN 表面缺陷之间的关系 | 第107-112页 |
| ·ICP 工艺参数对GaN 材料PL 谱强度的影响 | 第112-116页 |
| ·本章小结 | 第116-118页 |
| 参考文献 | 第118-120页 |
| 第四章 LED 芯片制造工艺技术 | 第120-148页 |
| ·光刻工艺 | 第120-122页 |
| ·刻蚀工艺 | 第122-133页 |
| ·蓝宝石衬底的刻蚀 | 第123-126页 |
| ·GaN 材料的刻蚀 | 第126-128页 |
| ·ITO 材料的刻蚀 | 第128-132页 |
| ·二氧化硅掩膜的刻蚀 | 第132-133页 |
| ·薄膜淀积与退火工艺 | 第133-136页 |
| ·蓝宝石衬底背减薄和抛光工艺 | 第136-141页 |
| ·工艺流程 | 第137-139页 |
| ·工艺优化 | 第139-141页 |
| ·蓝宝石衬底剥离技术 | 第141-142页 |
| ·LED 芯片制造工艺流程 | 第142-146页 |
| ·集成蓝宝石图形衬底和图形化ITO 技术的LED 芯片制作工艺 | 第142-144页 |
| ·表面微结构LED 芯片的制作工艺 | 第144-146页 |
| ·本章小结 | 第146-147页 |
| 参考文献 | 第147-148页 |
| 第五章 LED 芯片测试结果和分析 | 第148-172页 |
| ·LED 芯片特征参数测试系统建立 | 第148-157页 |
| ·LED 芯片光电参数测试系统 | 第148-155页 |
| ·LED 芯片结温测试系统 | 第155-157页 |
| ·蓝宝石图形衬底和图形化ITO 技术 LED 芯片测试结果及分析 | 第157-164页 |
| ·LED 芯片性能与图形尺寸的关系 | 第158-161页 |
| ·LED 芯片性能与图形间距的关系 | 第161-164页 |
| ·表面微结构LED 芯片测试结果及分析 | 第164-169页 |
| ·GaN 外延层上微结构对LED 芯片性能的影响 | 第164-167页 |
| ·LED 芯片I-V 曲线与衬底厚度的关系 | 第167-169页 |
| ·本章小结 | 第169-171页 |
| 参考文献 | 第171-172页 |
| 第六章 总结与展望 | 第172-176页 |
| 致谢 | 第176-177页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文 | 第177-180页 |
