| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 第一节 课题来源 | 第9页 |
| 第二节 研究背景及发展现状 | 第9-14页 |
| ·课题的研究背景及意义 | 第9-10页 |
| ·单室沉积微晶硅电池的研究现状 | 第10-14页 |
| 第三节 论文目标 | 第14-15页 |
| 第四节 论文的组织结构 | 第15-16页 |
| 第二章 微晶硅薄膜制备所用沉积系统及其特性表征手段 | 第16-23页 |
| 第一节 实验所用沉积系统及原材料 | 第16-17页 |
| ·实验系统简介 | 第16-17页 |
| ·实验用原材料 | 第17页 |
| 第二节 微晶硅材料和电池特性测试方法 | 第17-22页 |
| ·硅薄膜材料电学特性的测试 | 第17-18页 |
| ·硅薄膜材料光学特性的测试 | 第18-19页 |
| ·样品结构特性的测试 | 第19-21页 |
| ·微晶硅太阳电池 | 第21-22页 |
| 第三节 小结 | 第22-23页 |
| 第三章 单室沉积本征层、掺杂层及界面交叉污染问题研究 | 第23-47页 |
| 第一节 对本征微晶硅材料及掺杂层材料的优化制备 | 第23-31页 |
| ·对本征微晶硅材料的优化调节 | 第23-28页 |
| ·对掺杂层材料的优化制备 | 第28-31页 |
| 第二节 单室沉积p层后硼对本征微晶硅薄膜特性的影响 | 第31-38页 |
| ·硼对i层薄膜材料电学特性的影响 | 第32-35页 |
| ·硼对i层薄膜材料结构特性的影响 | 第35-38页 |
| 第三节 单室沉积n层后磷对p层及潜在i层特性的影响 | 第38-45页 |
| ·磷对p层材料特性的影响 | 第38-41页 |
| ·磷对i层材料特性的影响 | 第41-45页 |
| 第四节 小结 | 第45-47页 |
| 第四章 单室工艺中界面污染问题处理及其在电池上的初步应用 | 第47-66页 |
| 第一节 p/i界面间硼污染问题的处理 | 第47-53页 |
| ·硼对不同晶化率i层污染情况 | 第47-50页 |
| ·p/i界面间不同处理方法降低硼污染 | 第50-53页 |
| 第二节 单室沉积p-i-n型微晶硅电池的初步研究 | 第53-63页 |
| ·单室中未作任何污染处理制备电池特性 | 第54-55页 |
| ·p/i界面间不同处理方法制备电池特性 | 第55-63页 |
| 第三节 单室沉积较高效率微晶硅电池及其在叠层电池中的初步应用 | 第63-64页 |
| 第四节 小结 | 第64-66页 |
| 第五章 结论及有待进一步开展的工作 | 第66-69页 |
| 第一节 本论文工作的主要结论 | 第66-68页 |
| 第二节 有待进一步开展的工作 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 个人简历 | 第75-76页 |
| 攻读硕士学位期间参与发表的文章 | 第76-77页 |
