| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 1 引言 | 第11-14页 |
| 2 文献综述 | 第14-39页 |
| 2.1 二维层状材料体系的研究背景 | 第15-26页 |
| 2.1.1 过渡族金属二硫属化物 | 第18-22页 |
| 2.1.2 磷烯及Ⅳ族硫属化物 | 第22-23页 |
| 2.1.3 镓与铟的硫属化物 | 第23-24页 |
| 2.1.4 六方氮化硼 | 第24-25页 |
| 2.1.5 氧化物及其他二维绝缘体材料 | 第25-26页 |
| 2.2 范德瓦尔斯异质结的研究背景 | 第26-39页 |
| 2.2.1 范德瓦尔斯异质结的机械组装制备技术及特征 | 第27-31页 |
| 2.2.2 范德瓦尔斯异质结在器件领域的应用 | 第31-35页 |
| 2.2.3 范德瓦尔斯异质结的其他制备技术 | 第35-39页 |
| 3 模拟计算研究方法 | 第39-55页 |
| 3.1 密度泛函理论(DFT) | 第39-49页 |
| 3.1.1 玻恩(Born) -奥本海默(Oppenheimer)绝热近似 | 第40页 |
| 3.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第40-42页 |
| 3.1.3 Kohn-Sham方程 | 第42-44页 |
| 3.1.4 交换关联泛函 | 第44-45页 |
| 3.1.5 赝势方法 | 第45-49页 |
| 3.2 基函数 | 第49-51页 |
| 3.3 求解Kohn-Sham方程 | 第51-53页 |
| 3.4 第一性原理计算程序RESCU | 第53-55页 |
| 4 二维六方氮化硼包覆硒化铟范德瓦尔斯异质结中载流子迁移率的第一性原理计算研究 | 第55-70页 |
| 4.1 引言 | 第55-57页 |
| 4.2 hBN/InSe/hBN计算原胞的构建 | 第57-59页 |
| 4.3 计算方法及载流子迁移率计算公式推导 | 第59-63页 |
| 4.4 hBN/InSe/hBN的电子结构及载流子迁移率计算 | 第63-69页 |
| 4.5 小结 | 第69-70页 |
| 5 二维双层扭转黑磷莫列超晶格结构中莫列杂质对载流子迁移率的影响 | 第70-87页 |
| 5.1 引言 | 第70-73页 |
| 5.2 双层扭转黑磷莫列超晶格结构计算模型的建立及研究方法 | 第73-76页 |
| 5.3 双层扭转黑磷莫列超晶格中电子结构及载流子迁移率的计算 | 第76-85页 |
| 5.4 小结 | 第85-87页 |
| 6 拉伸应力状态下双层扭转黑磷莫列超晶格结构的力学性能及电子结构研究 | 第87-101页 |
| 6.1 引言 | 第87-89页 |
| 6.2 拉伸应力状态下的双层扭转黑磷莫列超晶格结构的计算模型及研究方法 | 第89-91页 |
| 6.3 莫列超晶格中应力-应变关系及电子结构的模拟计算研究 | 第91-100页 |
| 6.4 小结 | 第100-101页 |
| 7 结论 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-121页 |
| 附录A 双层扭转黑磷莫列超晶格计算原胞的构建与计算 | 第121-135页 |
| 作者简历及在学研究成果 | 第135-139页 |
| 学位论文数据集 | 第139页 |
