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850nm大功率垂直腔面发射激光器

摘要第1-7页
Abstract第7-13页
第一章 绪论第13-31页
   ·垂直腔面发射激光器介绍第14-18页
     ·垂直腔面发射激光器的由来第14-15页
     ·垂直腔面发射激光器的基本概念第15-16页
     ·垂直腔面发射激光器的基本结构第16-17页
     ·垂直腔面发射激光器的特点第17-18页
   ·垂直腔面发射激光器的发展历史、商业化进程及应用情况第18-27页
     ·垂直腔面发射激光器的发展历史第18-20页
     ·垂直腔面发射激光器的商业化进程第20-22页
     ·垂直腔面发射激光器的应用第22-27页
   ·垂直腔面发射激光器面临的机遇与挑战第27-28页
   ·总结第28-29页
   ·论文的主要研究内容和论文结构安排第29-31页
     ·论文的主要研究内容第29页
     ·论文的结构安排第29-31页
第二章 垂直腔面发射激光器的理论分析第31-79页
   ·垂直腔面发射激光器的设计方程第31-44页
     ·有源区的设计方程第31-42页
     ·多层膜反射镜的设计方程第42-44页
   ·垂直腔面发射激光器的电特性第44-60页
     ·VCSELs 器件的空间烧孔现象(SHB)第45-53页
     ·多层膜反射镜的电学特性第53-60页
   ·垂直腔面发射激光器的热特性第60-76页
     ·温度对VCSELs 稳定特性的影响第61-69页
     ·VCSELs 的简单热模型第69-76页
   ·本章小结第76-79页
第三章 垂直腔面发射激光器的工艺研究第79-103页
   ·半导体基本工艺技术介绍第79-90页
     ·材料生长技术[117]第79-83页
     ·清洗第83-84页
     ·光刻工艺第84-85页
     ·刻蚀工艺第85-87页
     ·湿法氧化工艺第87-88页
     ·绝缘钝化层的生长[139]第88页
     ·电脉冲阳极氧化工艺第88-89页
     ·生长电极第89-90页
     ·解理压焊封装第90页
   ·底发射工艺第90-94页
   ·顶发射工艺第94-98页
   ·串接工艺第98-101页
   ·本章小结第101-103页
第四章 85011m VCSEL 器件的制作、测试及结果分析第103-123页
   ·单管VCSELs 器件第104-112页
     ·器件结构第104-106页
     ·器件制作工艺第106-107页
     ·器件测试及分析第107-112页
   ·列阵器件第112-121页
     ·器件结构第112-114页
     ·制作工艺第114-115页
     ·器件测试与分析第115-121页
   ·本章小结第121-123页
第五章 垂直腔面发射激光器的串接结构第123-131页
   ·器件结构第124-125页
   ·制作工艺第125-126页
   ·器件测试及分析第126-129页
   ·本章小结第129-131页
第六章 总结第131-135页
参考文献第135-153页
在学期间学术成果情况第153-157页
指导教师及作者简介第157-159页
致谢第159-160页

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