| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-25页 |
| ·介孔材料综述 | 第9-13页 |
| ·介孔材料的分类 | 第10页 |
| ·介孔材料的合成机理 | 第10-13页 |
| 1) 液晶模板机理 | 第10-11页 |
| 2) 协同作用机理 | 第11-13页 |
| ·介孔薄膜材料 | 第13-16页 |
| ·溶胶-凝胶原理 | 第13页 |
| ·溶胶-凝胶化学 | 第13-16页 |
| ·溶胶-凝胶介孔薄膜的制备 | 第16-21页 |
| ·蒸发诱导自组装技术简介及其影响因素 | 第16-18页 |
| ·旋涂法 | 第18页 |
| ·浸渍-提拉法 | 第18-19页 |
| ·电化学沉积技术 | 第19-21页 |
| ·国内外定向介孔薄膜材料的研究进展 | 第21-23页 |
| ·双极性表面活性剂为模板来制备定向介孔薄膜 | 第22页 |
| ·外延生长 | 第22页 |
| ·π-π相互作用 | 第22-23页 |
| ·超临界流体技术 | 第23页 |
| ·研究内容及研究目标 | 第23-25页 |
| ·研究内容 | 第23-24页 |
| ·研究目标 | 第24页 |
| ·拟采取的研究方案 | 第24-25页 |
| 第2章 电化学沉积制备介孔薄膜 | 第25-32页 |
| ·电化学简介 | 第25页 |
| ·电化学技术 | 第25-27页 |
| ·循环伏安技术 | 第25-26页 |
| ·恒电位法 | 第26-27页 |
| ·电化学沉积制备硅基介孔薄膜 | 第27-29页 |
| ·初始溶胶溶液的制备 | 第28页 |
| ·电化学沉积介孔薄膜 | 第28-29页 |
| ·沉积过程中薄膜厚度的影响因素探讨 | 第29页 |
| ·实验所用试剂与仪器 | 第29-30页 |
| ·测试表征手段 | 第30-32页 |
| 第3章 介孔SIO_2薄膜的结构表征与性能分析 | 第32-47页 |
| ·支持电解质对溶胶-凝胶过程的影响 | 第32-33页 |
| ·循环伏安法分析溶胶溶液的电还原性 | 第33-36页 |
| ·扫描电镜分析薄膜在ITO玻璃表面生长及分布情况 | 第36-37页 |
| ·X射线衍射分析 | 第37-39页 |
| ·透射电镜分析 | 第39-41页 |
| ·介孔氧化硅薄膜厚度与沉积电位和沉积时间的关系及孔隙率表征 | 第41-42页 |
| ·介孔薄膜孔道内渗透性分析 | 第42-45页 |
| ·介孔薄膜渗透性分析 | 第43-44页 |
| ·电极摆放位置对循环伏安测试的影响 | 第44-45页 |
| ·介孔薄膜的增透性分析 | 第45-47页 |
| 第4章 结论与展望 | 第47-49页 |
| ·结论 | 第47-48页 |
| ·展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 致谢 | 第53页 |