n型多孔硅制备、发光性能及Al表面钝化处理
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 文献综述 | 第11-30页 |
| ·多孔硅研究现状 | 第11-12页 |
| ·多孔硅形成机制和生长机制 | 第12-16页 |
| ·多孔硅形成机制 | 第12-15页 |
| ·多孔硅生长机制 | 第15-16页 |
| ·多孔硅制备机理 | 第16-20页 |
| ·阳极腐蚀法 | 第16-18页 |
| ·光化学腐蚀法 | 第18-19页 |
| ·水热腐蚀法 | 第19-20页 |
| ·多孔硅发光机理 | 第20-21页 |
| ·量子限制模型 | 第20页 |
| ·表面态模型 | 第20-21页 |
| ·量子限制—发光中心模型 | 第21页 |
| ·多孔硅发光性能及改进措施 | 第21-25页 |
| ·多孔硅表面钝化 | 第23页 |
| ·注入稀土离子 | 第23-24页 |
| ·多孔硅与有机物复合 | 第24-25页 |
| ·多孔硅应用 | 第25-28页 |
| ·传感器 | 第25-26页 |
| ·电池 | 第26-27页 |
| ·多孔陶瓷 | 第27页 |
| ·多孔硅电致发光器件 | 第27页 |
| ·多孔硅光电探测器 | 第27-28页 |
| ·论文研究内容及目的 | 第28-30页 |
| 第二章 光照腐蚀制备n-PS及光致发光性能研究 | 第30-42页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·实验准备 | 第30-35页 |
| ·实验原料与实验仪器 | 第30页 |
| ·实验原理 | 第30-33页 |
| ·实验方法 | 第33-34页 |
| ·电解腐蚀 | 第34-35页 |
| ·n-PS清洗、干燥与保存 | 第35页 |
| ·n-PS测试 | 第35页 |
| ·实验结果和讨论 | 第35-41页 |
| ·光照对n-PS发光性能(PL)的影响 | 第35-37页 |
| ·光照条件下形成n-PS的结构和形貌 | 第37页 |
| ·光照条件下n-PS发光性能(PL)的影响因素 | 第37-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 脉冲腐蚀法制备n-PS及光致发光性能研究 | 第42-54页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·实验 | 第42-46页 |
| ·实验原料与实验仪器 | 第42-43页 |
| ·实验原理 | 第43-45页 |
| ·实验方法 | 第45-46页 |
| ·n-PS测试 | 第46页 |
| ·实验结果和分析 | 第46-53页 |
| ·脉冲腐蚀对n-PS发光性能的影响 | 第47-49页 |
| ·腐蚀时间对n-PS发光性能的影响 | 第49-51页 |
| ·占空比对n-PS发光性能的影响 | 第51-52页 |
| ·脉冲频率对n-PS发光性能的影响 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 电化学Al钝化n-PS的发光性能改进研究 | 第54-62页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·实验 | 第54-56页 |
| ·实验试剂及仪器 | 第54-55页 |
| ·实验方法 | 第55页 |
| ·n-PS测试 | 第55-56页 |
| ·实验结果和讨论 | 第56-61页 |
| ·Al钝化对n-PS发光性能和表面形貌的影响 | 第56-58页 |
| ·钝化电压对n-PS的发光强度影响 | 第58-59页 |
| ·钝化时间对n-PS的发光强度影响 | 第59-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-72页 |
| 攻读硕士期间的主要成绩 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
