直径可控钴掺杂二氧化锡一维纳米结构制备与表征研究
摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-11页 |
第一章 绪论 | 第11-23页 |
·引言 | 第11-12页 |
·纳米材料的量子尺寸效应 | 第12-15页 |
·纳米材料的光学性质 | 第15-16页 |
·化学气相沉积法简介 | 第16-18页 |
·化学气相沉积法的定义 | 第16-17页 |
·化学气相沉积法装置要求 | 第17页 |
·化学气相沉积法的特点 | 第17-18页 |
·化学气相沉积法中纳米材料的生长机理 | 第18-20页 |
·气-液-固(VLS)生长 | 第18-19页 |
·气-固(VS)生长 | 第19-20页 |
·半导体材料磁性掺杂概况 | 第20-22页 |
·半导体掺杂的常见途径 | 第20-21页 |
·矫顽力与材料尺寸的关系 | 第21-22页 |
·本论文的可行性及意义 | 第22-23页 |
第二章 二氧化锡一维纳米结构的直径可控生长 | 第23-41页 |
·前言 | 第23-25页 |
·氧分压调制的二氧化锡一维纳米结构的直径可控生长 | 第25-27页 |
·实验装置 | 第25-26页 |
·样品制备 | 第26-27页 |
·样品表征和测试方法 | 第27页 |
·样品的形貌及性能表征 | 第27-38页 |
·直径均匀的二氧化锡一维纳米结构的形貌研究 | 第27-29页 |
·二氧化锡一维纳米结构的直径及带隙分布 | 第29-30页 |
·直径变化的二氧化锡一维纳米结构的形貌表征 | 第30-38页 |
·实验结论及现象、应用探讨 | 第38-41页 |
·实验结论 | 第38-39页 |
·现象、应用探讨 | 第39-41页 |
第三章 直径可控二氧化锡一维纳米结构的潜在应用 | 第41-48页 |
·前言 | 第41-42页 |
·直径可控的二氧化锡一维纳米结构形貌表征 | 第42-47页 |
·纳米线-纳米线同质结 | 第42-43页 |
·纳米带-纳米线同质结 | 第43-44页 |
·纳米棒-纳米线同质结 | 第44-45页 |
·一维纳米结构做为多通道器件的形貌特征 | 第45-46页 |
·纳米线做为质量传输器的形貌特征 | 第46-47页 |
·材料的潜在应用 | 第47-48页 |
第四章 钴掺杂二氧化锡一维纳米结构的制备及表征 | 第48-58页 |
·前言 | 第48-50页 |
·钴掺杂二氧化锡一维纳米结构的制备与研究 | 第50-57页 |
·直径均匀的钴掺杂二氧化锡样品制备 | 第50-51页 |
·直径均匀的钴掺杂二氧化锡的形貌和物相表征 | 第51-54页 |
·直径均匀的钴掺杂二氧化锡电子结构的表征 | 第54-55页 |
·直径渐变的钴掺杂二氧化锡的样品制备 | 第55-56页 |
·直径渐变的钴掺杂二氧化锡的物相表征 | 第56-57页 |
·小结 | 第57-58页 |
第五章 结论与展望 | 第58-60页 |
参考文献 | 第60-69页 |
附录:攻读硕士学位期间论文发表情况 | 第69-70页 |
致谢 | 第70-72页 |