| 论文创新点 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 1.绪论 | 第11-30页 |
| 1.1 半导体发光基本理论及其基本研究方法 | 第11-13页 |
| 1.2 III-V族GaAs半导体发光材料及其研究进展 | 第13-25页 |
| 1.3 有机-无机杂化钙钛矿发光材料及其研究进展 | 第25-28页 |
| 1.4 本论文的设计思路和将要开展的工作 | 第28-30页 |
| 2.光致发光及磁光测量技术及其工作原理 | 第30-39页 |
| 2.1 温度依赖的光致发光测量系统 | 第30-32页 |
| 2.2 时间分辨的光致发光测量系统 | 第32-34页 |
| 2.3 脉冲强磁场下的光致发光测量系统 | 第34-39页 |
| 3.GaAsN半导体材料的发光特性和缺陷研究 | 第39-51页 |
| 3.1 GaAsN半导体材料的研究现状 | 第39-40页 |
| 3.2 GaAsN样品的制备和成分表征 | 第40页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第40-48页 |
| 3.4 小结 | 第48-51页 |
| 4.GaAsSb半导体材料的发光特性和缺陷研究 | 第51-66页 |
| 4.1 GaAsSb半导体材料的研究现状 | 第51-52页 |
| 4.2 GaAsSb样品的制备和成分表征 | 第52页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第52-64页 |
| 4.4 小结 | 第64-66页 |
| 5.GaAsBi半导体材料的发光特性和缺陷研究 | 第66-76页 |
| 5.1 GaAsBi半导体材料的研究现状 | 第66页 |
| 5.2 GaAsBi样品的制备和成分表征 | 第66-67页 |
| 5.3 实验结果与讨论 | 第67-74页 |
| 5.4 小结 | 第74-76页 |
| 6.新型有机无机杂化钙钛矿半导体发光特性和缺陷研究 | 第76-93页 |
| 6.1 新型有机无机杂化钙钛矿半导体材料的研究现状 | 第76-77页 |
| 6.2 MAPbBr_3单晶样品的制备 | 第77页 |
| 6.3 实验结果与讨论 | 第77-90页 |
| 6.4 小结 | 第90-93页 |
| 7.总结和展望 | 第93-98页 |
| 7.1 总结 | 第93-96页 |
| 7.2 展望 | 第96-98页 |
| 致谢 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-112页 |
| 附录 攻读博士学位期间已完成的论文列表 | 第112-114页 |
