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晶体硅太阳电池表面陷光结构的研究

致谢第1-6页
摘要第6-8页
Abstract第8-12页
第一章 绪论第12-14页
第二章 文献综述第14-36页
   ·太阳能概述第14-16页
   ·光伏发电的研究历史和发展状况第16-20页
   ·太阳电池材料和器件第20-26页
     ·太阳电池材料第20-22页
     ·太阳电池器件及原理第22-26页
   ·晶硅太阳电池制绒第26-33页
     ·晶硅太阳电池的光学损失第26-27页
     ·晶体硅太阳电池的制绒方法第27-32页
     ·一种可用于硅片表面制绒的方法第32-33页
   ·晶体硅太阳电池的薄片化第33-35页
   ·本论文的研究目的和内容第35-36页
第三章 实验第36-42页
   ·实验方案第36-37页
     ·损伤层对制绒的影响第36页
     ·化学腐蚀法制备多孔硅结构第36页
     ·多孔金字塔结构制作和优化第36-37页
   ·实验设备第37-38页
     ·化学机械抛光(CMP)机第37页
     ·等离子增强化学气相沉积(PECVD)系统第37-38页
   ·测试设备第38-41页
     ·紫外可见吸收(透射)光谱仪(UV-VIS)第38-39页
     ·少子寿命测试仪第39-40页
     ·扫描电子显微镜第40页
     ·其它仪器第40-41页
   ·实验原料第41-42页
第四章 表面损伤对制绒的影响第42-60页
   ·引言第42页
   ·单晶硅表面损伤层厚度的测量第42-45页
     ·前言第42-43页
     ·实验第43页
     ·结果与讨论第43-45页
   ·完全去除损伤与不去除损伤制绒的对比第45-50页
     ·前言第45页
     ·实验第45页
     ·结果与讨论第45-49页
       ·抛光片的制绒特性第45-47页
       ·损伤片的制绒特性第47-49页
     ·本节小结第49-50页
   ·不同程度去除表面损伤以及制绒第50-58页
     ·前言第50页
     ·实验第50-51页
     ·结果与讨论第51-57页
       ·损伤层去除程度的确定第51-53页
       ·硅片表面处于不同损伤层深度的制绒第53-57页
     ·本节小结第57-58页
   ·本章小结第58-60页
第五章 化学腐蚀法制备多孔硅结构第60-76页
   ·引言第60页
   ·多孔硅生成以及结构调控第60-71页
     ·前言第60页
     ·实验第60-61页
     ·结果与讨论第61-71页
       ·多孔硅生成第61页
       ·多孔硅形貌调控第61-65页
       ·多孔硅稳定性和均匀性的控制第65-68页
       ·生成多孔硅以及进行调控的机理分析第68-71页
   ·多孔硅在多晶硅太阳电池制绒中的应用第71-74页
     ·前言第71-72页
     ·实验第72页
     ·结果与讨论第72-74页
   ·本章小结第74-76页
第六章 多孔-金字塔结构制作与优化第76-84页
   ·引言第76页
   ·多孔-金字塔结构制作第76-81页
     ·前言第76页
     ·实验第76-77页
     ·结果和讨论第77-81页
   ·多孔-金字塔结构优化第81-83页
     ·前言第81页
     ·实验第81页
     ·结果和讨论第81-83页
   ·本章小结第83-84页
第七章 结论第84-86页
参考文献第86-94页
攻读硕士期间发表的论文及专利第94页

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