| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章. 绪论 | 第10-30页 |
| 1.1 FTIR简介 | 第10-21页 |
| 1.1.1 引言 | 第10页 |
| 1.1.2 FTIR测试原理 | 第10-21页 |
| 1.1.2.1 概述 | 第10页 |
| 1.1.2.2 干涉仪测试原理 | 第10-13页 |
| 1.1.2.3 干涉图的截断与取样 | 第13-21页 |
| 1.1.2.3.1 波形的截断 | 第13-16页 |
| 1.1.2.3.2 波形的采样 | 第16-19页 |
| 1.1.2.3.3 计算方法 | 第19-20页 |
| 1.1.2.3.4 相位修正 | 第20-21页 |
| 1.2 FTIR在半导体材料中的应用 | 第21-23页 |
| 1.2.1 FTIR用于测定和研究硅中的杂质含量 | 第22页 |
| 1.2.2 FTIR研究直拉硅中子辐照缺陷 | 第22-23页 |
| 1.2.3 FTIR研究多晶硅的远红外吸收光谱 | 第23页 |
| 1.3 太阳电池地位重要 | 第23-24页 |
| 1.4 太阳电池以晶体硅太阳电池为主 | 第24-25页 |
| 1.5 晶体硅太阳电池制备工艺 | 第25-27页 |
| 1.5.1 选定硅片 | 第25页 |
| 1.5.2 硅片表面准备 | 第25-26页 |
| 1.5.3 扩散制结 | 第26页 |
| 1.5.4 制备减反射膜 | 第26页 |
| 1.5.5 制作电极 | 第26-27页 |
| 1.5.6 测试封装 | 第27页 |
| 1.6 近年晶体硅太阳电池发展特点 | 第27-28页 |
| 1.6.1 硅片厚度越来越薄,单个硅片的面积越来越大 | 第27页 |
| 1.6.2 新设备持续研发使用 | 第27页 |
| 1.6.3 不断开发新型电池辅料 | 第27-28页 |
| 1.6.4 产量快速增长,效率的增长放缓 | 第28页 |
| 1.7 课题研究的意义、目的及创新性 | 第28-30页 |
| 第二章. 实验 | 第30-34页 |
| 2.1 实验原料 | 第30页 |
| 2.2 实验方法 | 第30-32页 |
| 2.2.1 抛光硅片 | 第30页 |
| 2.2.2 FTIR测定样品的氧碳浓度 | 第30-32页 |
| 2.2.3 样品的常规热处理 | 第32页 |
| 2.3 主要实验设备 | 第32-33页 |
| 2.4 主要测试仪器 | 第33-34页 |
| 第三章. FTIR测太阳电池用硅中杂质含量 | 第34-47页 |
| 3.1 FTIR测太阳电池用定向凝固法铸造多晶硅轴向碳浓度分布 | 第34-43页 |
| 3.1.1 前言 | 第34-35页 |
| 3.1.2 实验样品及过程 | 第35页 |
| 3.1.3 测试结果和分析 | 第35-43页 |
| 3.1.3.1 铸造多晶硅轴向碳浓度分布 | 第35-38页 |
| 3.1.3.2 经典分凝公式模拟铸造多晶硅轴向碳浓度分布 | 第38-40页 |
| 3.1.3.3 改变K值用经典分凝公式模拟铸造多晶硅轴向碳浓度分布 | 第40-42页 |
| 3.1.3.4 确定适合实验用铸造多晶硅的K值 | 第42页 |
| 3.1.3.5 计算熔融铸造多晶硅中碳向熔体的扩散系数 | 第42-43页 |
| 3.2 厚度对FTIR测定单晶硅间隙氧浓度的影响 | 第43-46页 |
| 3.2.1 前言 | 第43-44页 |
| 3.2.2 实验样品与过程 | 第44页 |
| 3.2.3 实验结果分析 | 第44-46页 |
| 3.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章. FTIR用于研究直拉单晶硅模拟太阳电池热处理过程的氧沉淀 | 第47-56页 |
| 4.1 前言 | 第47页 |
| 4.2 实验样品及实验过程 | 第47页 |
| 4.3 实验结果和分析 | 第47-55页 |
| 4.3.1 FTIR用于测定太阳电池用直拉单晶硅片的原生氧沉淀浓度 | 第47-50页 |
| 4.3.2 FTIR用于测定太阳电池用直拉单晶硅片在模拟太阳电池制备过程中间隙氧含量变化 | 第50-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章. 用FTIR研究管式与平板式PECVD沉积的氮化硅薄膜在模拟太阳电池热处理过程中的变化 | 第56-66页 |
| 5.1 引言 | 第56页 |
| 5.2 实验样品和过程 | 第56-57页 |
| 5.3 实验结果和分析 | 第57-65页 |
| 5.3.1 热处理温度对薄膜的影响 | 第57-59页 |
| 5.3.2 热处理时间对薄膜的影响 | 第59-61页 |
| 5.3.3 管式与平板式PECVD两种不同沉积方式在模拟太阳电池制备过程中行为的比较 | 第61-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章. 结论和展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第72页 |
