PI基底表面金薄膜导电、导热性能的研究
| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 第1章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 金属纳米薄膜的介绍 | 第12-14页 |
| 1.2.1 金属纳米薄膜的性能 | 第12-13页 |
| 1.2.2 金属纳米薄膜的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 聚酰亚胺的介绍 | 第14-16页 |
| 1.4 实验方法的介绍 | 第16-19页 |
| 1.4.1 金属纳米薄膜的制备方法 | 第16-17页 |
| 1.4.2 薄膜面内方向热物性的研究方法 | 第17-19页 |
| 1.5 课题研究的意义与内容 | 第19-21页 |
| 1.5.1 课题研究的意义 | 第19-20页 |
| 1.5.2 课题研究的内容 | 第20-21页 |
| 第2章 金纳米薄膜的制备 | 第21-30页 |
| 2.1 磁控溅射镀膜技术的原理 | 第21-23页 |
| 2.2 实验仪器与原料 | 第23-25页 |
| 2.2.1 实验仪器 | 第23页 |
| 2.2.2 实验原料 | 第23-25页 |
| 2.3 样品的制备 | 第25-29页 |
| 2.3.1 PI基底的制备 | 第25-26页 |
| 2.3.2 溅射镀膜 | 第26-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 金薄膜面内方向导电、导热性能的测量 | 第30-44页 |
| 3.1 TET实验的原理 | 第30-33页 |
| 3.2 实验数据的分析 | 第33-34页 |
| 3.3 误差分析与控制 | 第34-35页 |
| 3.3.1 对流换热引起的误差 | 第34页 |
| 3.3.2 辐射换热引起的误差 | 第34-35页 |
| 3.3.3 其他因素引起的误差 | 第35页 |
| 3.4 实验内容 | 第35-40页 |
| 3.4.1 实验仪器 | 第35-36页 |
| 3.4.2 TET实验的步骤 | 第36-40页 |
| 3.5 实验数据的处理 | 第40-43页 |
| 3.5.1 导电系数的计算 | 第40页 |
| 3.5.2 导热系数的计算 | 第40-41页 |
| 3.5.3 洛伦兹数的计算 | 第41-43页 |
| 3.6 本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 实验结果与分析 | 第44-59页 |
| 4.1 基底材料种类的影响 | 第44-50页 |
| 4.2 PI薄膜基底加热温度的影响 | 第50-53页 |
| 4.3 PI薄膜基底加热时间的影响 | 第53-56页 |
| 4.4 实验误差分析 | 第56-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第5章 结论与展望 | 第59-62页 |
| 5.1 结论 | 第59-60页 |
| 5.2 展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 攻读硕士学位期间的学术成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
