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羟基化石墨烯的磁性研究

摘要第4-7页
Abstract第7-9页
第一章 绪论第13-51页
    1.1 本征石墨烯的物理性能简介第16-18页
    1.2 功能化石墨烯的物理性能简介第18-23页
        1.2.1 石墨烯纳米带和石墨烯量子点第18-19页
        1.2.2 异质原子掺杂石墨烯第19-23页
    1.3 石墨烯的磁学性质第23-39页
        1.3.1 边缘缺陷型石墨烯的磁性第25-34页
            1.3.1.1 石墨烯点空位的磁矩第26-27页
            1.3.1.2 石墨烯zigzag边缘的磁矩第27-30页
            1.3.1.3 石墨烯空位或边缘处氮的磁矩第30-34页
        1.3.2 基面sp~3缺陷型石墨烯的磁性第34-39页
            1.3.2.1 氟化石墨烯的磁性第36-38页
            1.3.2.2 氢化石墨烯的磁性第38-39页
    1.4 本论文的选题意义和研究内容第39-41页
        1.4.1 本论文的选题意义第39-40页
        1.4.2 本论文的研究内容第40-41页
    参考文献第41-51页
第二章 样品的表征手段第51-61页
    2.1 样品的形貌表征手段第51-54页
        2.1.1 透射电子显微镜(TEM)第51-52页
        2.1.2 扫描电子显微镜(SEM)第52-53页
        2.1.3 原子力显微镜(AFM)第53-54页
    2.2 样品的微结构表征手段第54-57页
        2.2.1 激光拉曼光谱分析第54-56页
        2.2.2 X射线光电子能谱分析(XPS)第56页
        2.2.3 傅里叶红外光谱分析(FTIR)第56-57页
    2.3 样品的磁性表征手段第57-59页
        2.3.1 超导量子干涉仪(SQUID)第57-58页
        2.3.2 电子顺磁/自旋共振(EPR/ESR)第58-59页
    2.4 其他表征手段第59-60页
    参考文献第60-61页
第三章 鉴别氧化石墨烯的磁性第61-79页
    3.1 引言第61-62页
    3.2 实验部分第62-64页
        3.2.1 GO样品的制备第62-64页
            3.2.1.1 GO的制备和清洗第62-63页
            3.2.1.2 氨水洗GO实现重氧化的OD和轻氧化的awGO的分离第63-64页
        3.2.2 表征手段第64页
    3.3 结果与讨论第64-75页
        3.3.1 样品的形貌及微结构第64-67页
        3.3.2 GO中不同氧化程度部分的磁性鉴别第67-70页
        3.3.3 制备过程中其他因素对GO磁性的影响第70-75页
            3.3.3.1 氧化时间对GO磁性的影响第70-71页
            3.3.3.2 超声对GO磁性的影响第71-72页
            3.3.3.3 不同转速分离对GO磁性的影响第72-73页
            3.3.3.4 改变氧化剂含量对GO磁性的影响第73-74页
            3.3.3.5 浓HNO_3处理对GO磁性的影响第74-75页
    3.4 本章小结第75-76页
    参考文献第76-79页
第四章 通过羟基在石墨烯基面上高效稳定引入磁矩第79-102页
    4.1 引言第79-80页
    4.2 实验部分第80-82页
        4.2.1 样品的制备第80-82页
        4.2.2 样品的表征第82页
        4.2.3 基于密度泛函理论(DFT)的计算第82页
    4.3 结果与讨论第82-97页
        4.3.1 样品的形貌及微结构第82-88页
        4.3.2 羟基化石墨烯的磁学性能第88-91页
        4.3.3 结果分析第91-93页
        4.3.4 磁团簇的分布及实现磁有序的探索第93-97页
    4.4 本章小结第97页
    参考文献第97-102页
第五章 总结与展望第102-111页
    5.1 氧化石墨烯磁性的总结第102-104页
    5.2 石墨烯薄膜在自旋电子学应用的展望第104-108页
    参考文献第108-111页
攻读博士期间发表或待发表的论文第111页
攻读博士期间发表或待发表的专利第111-112页
博士期间获得的荣誉和奖励第112-113页
致谢第113-114页

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