| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 反射光束位移特性的研究概述 | 第10页 |
| 1.2 侧向位移(Goos-H?nchenshift,GH)的提出和研究现状 | 第10-11页 |
| 1.2.1 侧向位移(GH)的研究现状 | 第10-11页 |
| 1.3 横向位移(Imbert-Fedorovshift,IF) | 第11-12页 |
| 1.3.1 横向位移的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.4 本文的主要内容 | 第12-14页 |
| 第2章 拓扑绝缘体和手征介质 | 第14-24页 |
| 2.1 拓扑绝缘体 | 第14-20页 |
| 2.1.1 拓扑绝缘体的发现史和进展 | 第14页 |
| 2.1.2 霍尔效应(HallEffect) | 第14-16页 |
| (1)霍尔效应(HE) | 第14-15页 |
| (2)整数量子霍尔效应(IQHE) | 第15-16页 |
| (3)分数量子霍尔效应(FQHE) | 第16页 |
| 2.1.3 拓扑绝缘体的分类 | 第16-19页 |
| 2.1.4 拓扑绝缘体的应用研究 | 第19-20页 |
| 2.2 手征介质 | 第20-23页 |
| 2.2.1 手征介质的研究与应用 | 第20-21页 |
| 2.2.2 手征介质的传播特性 | 第21-23页 |
| 2.3 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 Goos-H?nchen位移和Imbert-Fedorov位移理论研究方法 | 第24-30页 |
| 3.1 侧向位移和横向位移 | 第24页 |
| 3.2 GH位移和IF位移的计算 | 第24-28页 |
| 3.2.1 固定相位法 | 第24-26页 |
| 3.2.2 能流法计算GH位移和IF位移 | 第26-28页 |
| 3.2.3 Gauss光束法计算GH位移和IF位移 | 第28页 |
| 3.3 本章小结 | 第28-30页 |
| 第4章 拓扑绝缘体和手征介质界面上的Goos-H?nchen位移和Imbert-Fedorov位移 | 第30-41页 |
| 4.1 模型建立和理论分析 | 第31-35页 |
| 4.2 数值分析 | 第35-40页 |
| 4.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第5章 反射光束在有限带隙拓扑绝缘体上的Goos–H?nchen效应和Imbert-Fedorov效应 | 第41-50页 |
| 5.1 有限带隙拓扑绝缘体界面上的光学特性 | 第42-44页 |
| 5.2 能流法计算GH、IF位移 | 第44-46页 |
| 5.3 数值分析 | 第46-49页 |
| 5.3.1 线性极化的GH位移和IF位移 | 第46-47页 |
| 5.3.2 入射光束为椭圆偏振态时的IF位移 | 第47-49页 |
| 5.4 本章总结 | 第49-50页 |
| 第6章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 6.1 总结 | 第50页 |
| 6.2 工作展望 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 附录 | 第57页 |
