| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 缩略语表 | 第11-12页 |
| 第一章 文献综述 | 第12-29页 |
| 1 分子印迹技术 | 第12-16页 |
| 1.1 分子印迹技术的基本理论 | 第12-13页 |
| 1.2 分子印迹聚合物制备方法 | 第13-16页 |
| 2 分子印迹与样品前处理技术 | 第16-25页 |
| 2.1 分子印迹固相萃取 | 第17-18页 |
| 2.2 分子印迹固相微萃取 | 第18-22页 |
| 2.3 分子印迹磁性颗粒 | 第22-23页 |
| 2.4 分子印迹基质固相分散萃取 | 第23-24页 |
| 2.5 分子印迹膜萃取 | 第24-25页 |
| 3 分子印迹聚合物在农药残留分析中的应用 | 第25-26页 |
| 4 本论文的研究目的和内容 | 第26-29页 |
| 4.1研究目的及意义 | 第26-27页 |
| 4.2 研究内容及创新点 | 第27-29页 |
| 第二章 二嗪农溶胶-凝胶分子印迹固相微萃取涂层制备、性能及应用研究 | 第29-44页 |
| 1 前言 | 第29-30页 |
| 2 材料和方法 | 第30-34页 |
| 2.1 试剂与材料 | 第30-31页 |
| 2.2 仪器与设备 | 第31页 |
| 2.3 二嗪农分子印迹萃取头制备 | 第31-32页 |
| 2.4 气相色谱条件 | 第32页 |
| 2.5 固相微萃取操作步骤 | 第32-33页 |
| 2.6 涂层的红外表征 | 第33页 |
| 2.7 涂层的制备重现性 | 第33页 |
| 2.8 涂层的稳定性 | 第33页 |
| 2.9 涂层的选择性 | 第33页 |
| 2.10 涂层的萃取效率 | 第33-34页 |
| 2.11 回收率及定量分析 | 第34页 |
| 3 结果与讨论 | 第34-43页 |
| 3.1 涂层的红外表征 | 第34页 |
| 3.2 涂层的制备重现性 | 第34-35页 |
| 3.3 涂层的稳定性 | 第35-36页 |
| 3.4 涂层的选择性 | 第36-38页 |
| 3.5 涂层的萃取能力 | 第38-39页 |
| 3.6 萃取条件优化 | 第39-40页 |
| 3.7 方法评价 | 第40-43页 |
| 4 小结 | 第43-44页 |
| 第三章 甲基对硫磷溶胶-凝胶分子印迹固相微萃取涂层制备、性能及应用研究 | 第44-58页 |
| 1 前言 | 第44-45页 |
| 2 材料和方法 | 第45-48页 |
| 2.1 试剂与材料 | 第45-46页 |
| 2.2 仪器与设备 | 第46页 |
| 2.3 甲基对硫磷分子印迹萃取头制备 | 第46页 |
| 2.4 固相微萃取和气相色谱条件 | 第46-47页 |
| 2.5 液液萃取 | 第47页 |
| 2.6 涂层红外表征 | 第47页 |
| 2.7 涂层的制备重现性 | 第47页 |
| 2.8 涂层的稳定性 | 第47页 |
| 2.9 涂层的萃取能力 | 第47-48页 |
| 2.10 涂层的选择性及机理探讨 | 第48页 |
| 3 结果与讨论 | 第48-57页 |
| 3.1 涂层的红外表征 | 第48页 |
| 3.2 涂层的制备重现性 | 第48-50页 |
| 3.3 涂层的化学稳定性 | 第50页 |
| 3.4 涂层的热稳定性 | 第50-51页 |
| 3.5 萃取能力 | 第51-52页 |
| 3.6 涂层的选择性 | 第52-54页 |
| 3.7 SPME操作条件优化 | 第54页 |
| 3.8 方法评价 | 第54-56页 |
| 3.9 实际样品分析 | 第56-57页 |
| 4 小结 | 第57-58页 |
| 第四章 分子印迹涂层阵列固相微萃取的研究与应用 | 第58-72页 |
| 1 前言 | 第58-59页 |
| 2 材料和方法 | 第59-61页 |
| 2.1 试剂与材料 | 第59-60页 |
| 2.2 仪器与设备 | 第60页 |
| 2.3 阵列SPME装置的设计 | 第60-61页 |
| 2.4 气相色谱条件 | 第61页 |
| 2.5 固相微萃取操作步骤 | 第61页 |
| 3 结果与讨论 | 第61-71页 |
| 3.1 印迹涂层选择 | 第61-62页 |
| 3.2 萃取动力学 | 第62-64页 |
| 3.3 萃取效率 | 第64-67页 |
| 3.4 SPME操作条件优化 | 第67-68页 |
| 3.5 方法评价 | 第68-69页 |
| 3.6 真实样品分析 | 第69-71页 |
| 4 小结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-83页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84页 |