| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 新型非易失性存储器 | 第11-17页 |
| 1.2.1 铁电存储器（FRAM） | 第11-12页 |
| 1.2.2 磁存储器（MRAM） | 第12-13页 |
| 1.2.3 相变存储器（PRAM） | 第13-15页 |
| 1.2.4 阻变存储器（RRAM） | 第15-17页 |
| 1.3 RRAM的性能参数和研究现状 | 第17-19页 |
| 1.3.1 RRAM的性能参数 | 第17-18页 |
| 1.3.2 RRAM的研究现状 | 第18-19页 |
| 1.4 选题意义及研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 BiFeO_3制备及分析方法 | 第21-31页 |
| 2.1 薄膜制备方法 | 第21-26页 |
| 2.1.1 磁控溅射法 | 第21-22页 |
| 2.1.2 溶胶凝胶法（Sol-Gel） | 第22页 |
| 2.1.3 金属有机气相沉积（MOCVD） | 第22-23页 |
| 2.1.4 原子层沉积法 | 第23-24页 |
| 2.1.5 脉冲激光法（PLD） | 第24-26页 |
| 2.2 薄膜的形貌结构表征方法 | 第26-29页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪 | 第26-27页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第27-28页 |
| 2.2.3 原子力显微镜（AFM） | 第28-29页 |
| 2.3 薄膜的电学性能测试 | 第29-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 BiFeO_3的制备和结构表征 | 第31-41页 |
| 3.1 Au/BFO/Pt样品制备 | 第31-33页 |
| 3.1.1 BiFeO_3基本介绍 | 第31-32页 |
| 3.1.2 BiFeO_3的制备 | 第32-33页 |
| 3.1.3 顶电极的制备 | 第33页 |
| 3.2 薄膜结构表征 | 第33-40页 |
| 3.2.1 温度对BiFeO_3薄膜结构的影响 | 第33-36页 |
| 3.2.2 压强对BiFeO_3薄膜结构的影响 | 第36-38页 |
| 3.2.3 厚度对BiFeO_3薄膜结构的影响 | 第38-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 BiFeO_3阻变性能研究 | 第41-52页 |
| 4.1 BiFeO_3薄膜的电学性能测试 | 第41页 |
| 4.2 温度对阻变性能的影响 | 第41-45页 |
| 4.2.1 I-V特性测试 | 第41-42页 |
| 4.2.2 保持特性测试 | 第42-44页 |
| 4.2.3 抗疲劳特性测试 | 第44-45页 |
| 4.3 氧分压对阻变性能的影响 | 第45-46页 |
| 4.4 薄膜厚度对阻变性能的影响 | 第46-51页 |
| 4.4.1 I-V特性测试 | 第46-47页 |
| 4.4.2 保持特性测试 | 第47-49页 |
| 4.4.3 抗疲劳特性测试 | 第49-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 BiFeO_3薄膜阻变机制 | 第52-62页 |
| 5.1 阻变存储器的阻变机制 | 第52-57页 |
| 5.1.1 导电细丝模型（CF） | 第54-55页 |
| 5.1.2 空间电荷限制电流效应（SCLC） | 第55-56页 |
| 5.1.3 肖特基势垒效应 | 第56-57页 |
| 5.1.4 普尔-法兰克（Poole-Frenkel）效应 | 第57页 |
| 5.2 BiFeO_3薄膜的阻变机制 | 第57-61页 |
| 5.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 结论 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第69-70页 |