| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 课题背景与意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-22页 |
| 1.2.1 复合材料传感器制作的一般策略 | 第10-12页 |
| 1.2.2 压阻式复合材料应变传感器 | 第12-22页 |
| 1.3 本论文的研究目标和主要内容 | 第22-24页 |
| 1.3.1 研究目标 | 第22页 |
| 1.3.2 研究内容及技术路线 | 第22-24页 |
| 2 MWCNT/PVDF纳米复合材料的制备、表征及实验 | 第24-34页 |
| 2.1 材料的制备工艺 | 第24-27页 |
| 2.1.1 熔融法 | 第24-26页 |
| 2.1.2 流延法 | 第26-27页 |
| 2.2 材料的选择 | 第27-29页 |
| 2.2.1 碳纳米管的选择 | 第27-28页 |
| 2.2.2 高分子基体的选择 | 第28-29页 |
| 2.3 MWCNT/PVDF纳米复合材料的制作工艺流程 | 第29-30页 |
| 2.4 SEM断面形貌分析 | 第30-32页 |
| 2.5 实验平台的搭建及测试方法 | 第32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-34页 |
| 3 MWCNT/PVDF纳米复合材料在直流电下的压阻特性 | 第34-40页 |
| 3.1 MWCNT/PVDF复合材料薄膜的导电特性 | 第34-36页 |
| 3.1.1 碳纳米管渗流网络模型 | 第34-35页 |
| 3.1.2 应变片的导电率 | 第35-36页 |
| 3.2 MWCNT/PVDF薄膜应变片的压阻特性 | 第36-39页 |
| 3.2.1 材料变形对碳纳米管导电网络的影响 | 第36-37页 |
| 3.2.2 隧道效应理论 | 第37-38页 |
| 3.2.3 材料的电阻-应变关系 | 第38-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 4 MWCNT/PVDF纳米复合材料在交流电下的力-电耦合特性 | 第40-48页 |
| 4.1 复合材料的介电损耗特性 | 第40-42页 |
| 4.1.1 介电损耗产生的原因 | 第40页 |
| 4.1.2 介电损耗的表征 | 第40-42页 |
| 4.2 MWCNT含量及测试电压对复合材料介电损耗的影响 | 第42-44页 |
| 4.2.1 MWCNT含量对材料介电损耗的影响 | 第42-43页 |
| 4.2.2 测试电压对材料介电损耗的影响 | 第43-44页 |
| 4.3 交流电下应变对复合材料介电损耗的影响 | 第44-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 5 MWCNT/高分子基纳米复合材料的等效电路模型 | 第48-65页 |
| 5.1 MWCNT/PVDF复合材料RLC等效电路模型的建立 | 第48-49页 |
| 5.2 模型的验证 | 第49-55页 |
| 5.3 统一的RLC等效电路模型 | 第55-63页 |
| 5.3.1 材料的选择与制备 | 第55-56页 |
| 5.3.2 形貌分析和模型验证方法 | 第56-58页 |
| 5.3.3 材料导电性,损耗特性及模型验证结果 | 第58-63页 |
| 5.4 RLC等效电路模型的应用展望 | 第63-64页 |
| 5.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 结论 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-76页 |
| 攻读硕士期间的学术论文及研究成果 | 第76页 |
