| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 THz技术发展概况 | 第10-13页 |
| 1.2 表面等离子体波概述 | 第13-15页 |
| 1.2.1 表面等离子体波的特性 | 第13页 |
| 1.2.2 基于石墨烯的表面等离子体波 | 第13-15页 |
| 1.3 渡越辐射概述 | 第15-16页 |
| 1.4 电子注入射石墨烯的渡越辐射概述 | 第16页 |
| 1.5 本论文的结构安排 | 第16-18页 |
| 第二章 运动带电粒子产生渡越辐射的基础理论 | 第18-26页 |
| 2.1 麦克斯韦方程 | 第18-21页 |
| 2.2 电磁场的边界条件 | 第21-22页 |
| 2.3 三种带电粒子辐射概述 | 第22-25页 |
| 2.3.1 同步辐射 | 第22页 |
| 2.3.2 切伦科夫辐射 | 第22-23页 |
| 2.3.3 渡越辐射 | 第23-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 基于石墨烯渡越辐射的理论研究 | 第26-40页 |
| 3.1 电子注激励石墨烯表面等离子体波产生渡越辐射的模型 | 第26-28页 |
| 3.1.1 模型的宏观分析 | 第27页 |
| 3.1.2 模型简化 | 第27-28页 |
| 3.2 电子注自身电磁场 | 第28-33页 |
| 3.2.1 电子注建模 | 第28-29页 |
| 3.2.3 电场偏微分方程 | 第29-30页 |
| 3.2.4 求解电场偏微分方程 | 第30-33页 |
| 3.3 渡越辐射的场分布 | 第33-39页 |
| 3.3.1 石墨烯位移电流 | 第33-34页 |
| 3.3.2 辐射场表达式 | 第34-37页 |
| 3.3.3 渡越辐射的光谱角分布 | 第37-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 辐射场的数值计算 | 第40-58页 |
| 4.1 无石墨烯时的渡越辐射 | 第41-47页 |
| 4.1.1 场分布随介电常数的变化 | 第41-43页 |
| 4.1.2 场分布随入射角的变化 | 第43-45页 |
| 4.1.3 场分布随入射速率的变化 | 第45-47页 |
| 4.1.4 场分布随频率的变化 | 第47页 |
| 4.2 有石墨烯时的渡越辐射 | 第47-55页 |
| 4.2.1 场分布随电导率的变化 | 第48-49页 |
| 4.2.2 场分布随介电常数的变化 | 第49-50页 |
| 4.2.3 场分布随入射角的变化 | 第50-52页 |
| 4.2.4 场分布随入射速率的变化 | 第52-53页 |
| 4.2.5 场分布随频率的变化 | 第53-54页 |
| 4.2.6 场分布随电导率与频率联合变化 | 第54-55页 |
| 4.3 本章小结 | 第55-58页 |
| 第五章 光谱角分布的数值计算 | 第58-68页 |
| 5.1 光谱角分布随介电常数的变化 | 第58-60页 |
| 5.2 光谱角分布随频率的变化 | 第60-62页 |
| 5.3 光谱角分布随入射角的变化 | 第62-64页 |
| 5.4 光谱角分布随入射速率的变化 | 第64-66页 |
| 5.5 本章小结 | 第66-68页 |
| 第六章 总结和展望 | 第68-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-77页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第77页 |