| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-30页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 太阳电池概述 | 第12-14页 |
| 1.3 半导体/石墨烯肖特基结太阳电池 | 第14-27页 |
| 1.3.1 石墨烯的基本性质 | 第15-16页 |
| 1.3.2 半导体/石墨烯肖特基结太阳电池 | 第16-22页 |
| 1.3.3 GaAs/石墨烯肖特基结太阳电池研究现状 | 第22-26页 |
| 1.3.4 GaAs/石墨烯肖特基结太阳电池存在的问题 | 第26-27页 |
| 1.4 研究内容及研究目标 | 第27-28页 |
| 1.5 本论文的创新点 | 第28-30页 |
| 第二章 实验方法 | 第30-43页 |
| 2.1 引言 | 第30页 |
| 2.2 表征方法 | 第30-37页 |
| 2.2.1 反射式高能电子衍射(RHEED) | 第30-31页 |
| 2.2.2 拉曼光谱(Raman) | 第31-32页 |
| 2.2.3 X射线光电子能谱(XPS) | 第32-33页 |
| 2.2.4 光致发光光谱(PL) | 第33-34页 |
| 2.2.5 瞬态光电压衰减测试(TPVD) | 第34页 |
| 2.2.6 太阳光模拟器及太阳电池电流-电压特性曲线测试 | 第34-35页 |
| 2.2.7 原子力显微镜(AFM) | 第35-36页 |
| 2.2.8 透射电子显微镜(TEM) | 第36-37页 |
| 2.3 器件物理模型与性能仿真 | 第37-41页 |
| 2.4 分子束外延(MBE)系统的原理 | 第41-43页 |
| 第三章 GaAs/少层石墨烯肖特基结太阳电池的构筑与性能研究 | 第43-70页 |
| 3.1 引言 | 第43页 |
| 3.2 GaAs/少层石墨烯太阳电池的构筑与载流子输运机制分析 | 第43-56页 |
| 3.2.1 GaAs/石墨烯太阳电池的工艺优化 | 第43-52页 |
| 3.2.2 GaAs/少层石墨烯太阳电池器件性能及载流子输运机制研究 | 第52-56页 |
| 3.3 薄膜外延结构对GaAs/少层石墨烯器件性能及载流子输运的影响 | 第56-60页 |
| 3.3.1 采用GaAs衬底制作的器件中载流子输运机制 | 第56-58页 |
| 3.3.2 基于同质外延GaAs薄膜的肖特基结太阳电池的性能 | 第58-60页 |
| 3.4 MoO_(3-x)/Zr_xO_y复合减反膜对GaAs/少层石墨烯电池性能提升机理 | 第60-68页 |
| 3.4.1 常用减反膜体系应用于GaAs/少层石墨烯太阳电池的失效机制 | 第60-64页 |
| 3.4.2 MoO_(3-x)/Zr_xO_y复合减反膜对器件性能提升研究 | 第64-68页 |
| 3.5 本章小结 | 第68-70页 |
| 第四章 GaAs/硫醇自组装单分子层/石墨烯太阳电池的界面特性 | 第70-88页 |
| 4.1 引言 | 第70-71页 |
| 4.2 石墨烯/SAM/GaAs太阳电池的制备与器件载流子输运模型 | 第71-82页 |
| 4.2.1 不同链长硫醇单分子层对电池性能的影响 | 第71-75页 |
| 4.2.2 GaAs/SAM/石墨烯MIS结构太阳电池载流子输运模型 | 第75-79页 |
| 4.2.3 硫醇单分子膜自组装演变过程对器件性能的影响 | 第79-82页 |
| 4.3 18 -硫醇修饰器件的稳定性及其在大面积条件下的性能 | 第82-86页 |
| 4.4 本章小结 | 第86-88页 |
| 第五章 宽光谱响应GaAs/石墨烯太阳电池的制备及性能 | 第88-107页 |
| 5.1 引言 | 第88-89页 |
| 5.2 GaAs衬底上高质量InAs量子点的MBE可控生长 | 第89-103页 |
| 5.2.1 InAs量子点的自组织演变过程 | 第89-95页 |
| 5.2.2 生长速率对量子点尺寸均匀性的调控机理 | 第95-100页 |
| 5.2.3 多层InAs/GaAs量子点的制备 | 第100-103页 |
| 5.3 中间带宽光谱响应GaAs/石墨烯肖特基结太阳电池的制备 | 第103-105页 |
| 5.4 本章小结 | 第105-107页 |
| 结论 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-125页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第125-127页 |
| 致谢 | 第127-128页 |
| 答辩委员会对论文的评定意见 | 第128页 |
