| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
1.1 Ge_xSi_(1-x)(0| 第11-15页 | |
1.2 Ge_xSi_(1-x)(0| 第15-18页 | |
1.3 利用分子束外延技术生长Ge_xSi_(1-x)(0| 第18-20页 | |
1.4 Ge_xSi_(1-x)(0| 第20-24页 | |
| 1.4.1 Ge组分逐渐变大的缓冲层技术 | 第20页 |
| 1.4.2 低温缓冲层技术 | 第20-22页 |
| 1.4.3 Sb、Te等作为表面活化剂的分子束外延生长技术 | 第22-23页 |
| 1.4.4 低温高温生长和循环退火技术 | 第23-24页 |
| 1.5 本论文的主要工作 | 第24-27页 |
第二章 Ge_xSi_(1-x)(0| 第27-39页 | |
| 2.1 分子束外延生长技术 | 第27-33页 |
| 2.1.1 MBE背景及发展 | 第27-29页 |
| 2.1.2 MBE基本原理及设备组成 | 第29-31页 |
| 2.1.3 MBE优缺点 | 第31-33页 |
| 2.2 X射线衍射(XRD) | 第33-35页 |
| 2.3 原子力显微镜(AFM) | 第35页 |
| 2.4 透射电子显微镜(TEM) | 第35-39页 |
| 第三章 衬底的处理对外延生长的影响 | 第39-45页 |
| 3.1 Si(100)衬底的去氧化 | 第39-40页 |
| 3.2 Si缓冲层的生长 | 第40-41页 |
| 3.3 Si缓冲层的作用 | 第41-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-45页 |
第四章 Ge_xSi_(1-x)(0| 第45-67页 | |
| 4.1 Ge和Si实际生长速率与理论生长速率的拟合 | 第45-46页 |
| 4.2 生长温度的优化 | 第46-50页 |
| 4.3 Ge含量的调控 | 第50-55页 |
| 4.4 厚度对Ge_(0.67)Si_(0.33)薄膜弛豫的影响 | 第55-57页 |
| 4.5 Ge薄膜在硅衬底上的直接外延 | 第57-61页 |
| 4.5.1 生长温度的优化 | 第57-58页 |
| 4.5.2 厚度对Ge薄膜弛豫的影响 | 第58-60页 |
| 4.5.3 生长机理的讨论 | 第60-61页 |
| 4.6 Ge_xSi_(1-x)/Si异质结的生长 | 第61-64页 |
| 4.7 本章小结 | 第64-67页 |
| 第五章 退火处理的影响 | 第67-77页 |
| 5.1 原位真空退火 | 第67-73页 |
| 5.2 惰性气体保护下的退火 | 第73-75页 |
| 5.3 本章小结 | 第75-77页 |
| 第六章 总结与展望 | 第77-81页 |
| 6.1 总结 | 第77-78页 |
| 6.2 展望 | 第78-81页 |
| 参考文献 | 第81-87页 |
| 硕士期间学术成果 | 第87-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
