垂直电导结构非致冷红外探测器研究
摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
1 绪论 | 第9-18页 |
1.1 红外探测技术概述 | 第9-10页 |
1.2 红外探测器简介 | 第10-14页 |
1.3 红外探测器的应用 | 第14-17页 |
1.4 本论文主要研究内容 | 第17-18页 |
2 垂直电导结构探测器原理 | 第18-22页 |
2.1 垂直电导结构原理 | 第18-20页 |
2.2 电学特性分析 | 第20-21页 |
2.3 本章小结 | 第21-22页 |
3 垂直电导结构的光学特性 | 第22-36页 |
3.1 传输矩阵分析 | 第22-23页 |
3.2 材料模型 | 第23-29页 |
3.3 模拟结果和分析 | 第29-35页 |
3.4 本章小结 | 第35-36页 |
4 高 TCR 氧化钒薄膜制备 | 第36-41页 |
4.1 反应离子束溅射 | 第36-37页 |
4.2 制备工艺 | 第37页 |
4.3 工艺优化 | 第37-40页 |
4.4 本章小结 | 第40-41页 |
5 探测器结构设计和芯片制备 | 第41-49页 |
5.1 掩膜版设计 | 第41-42页 |
5.2 工艺流程 | 第42-44页 |
5.3 主要工艺评述 | 第44-48页 |
5.4 本章小结 | 第48-49页 |
6 测试结果和讨论 | 第49-56页 |
6.1 VOx 薄膜电性能测试 | 第49-50页 |
6.2 红外吸收特性 | 第50-52页 |
6.3 探测器性能测试 | 第52-55页 |
6.4 本章小结 | 第55-56页 |
7 总结和展望 | 第56-58页 |
致谢 | 第58-59页 |
参考文献 | 第59-62页 |