| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 太赫兹技术研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 太赫兹功分器的研究动态 | 第11-22页 |
| 1.2.1 国外发展动态 | 第11-19页 |
| 1.2.2 国内研究动态 | 第19-22页 |
| 1.3 MEMS工艺简介 | 第22-24页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第24-25页 |
| 第二章 功分器的基本理论 | 第25-35页 |
| 2.1 功分器简介 | 第25页 |
| 2.2 功分器/合成器的主要特性参数 | 第25-26页 |
| 2.3 功分器的经典形式介绍 | 第26-28页 |
| 2.3.1 分支线定向耦合器 | 第26-27页 |
| 2.3.2 威尔金森功分器 | 第27页 |
| 2.3.3 环形电桥 | 第27-28页 |
| 2.3.4 魔T | 第28页 |
| 2.4 太赫兹功分/合成器可用型式 | 第28-34页 |
| 2.4.1 E面分支线电桥理论分析 | 第29-32页 |
| 2.4.2 H面裂缝电桥理论分析 | 第32-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 380GHZ矩形波导 3dB功分/合成器 | 第35-68页 |
| 3.1 功分器仿真设计 | 第35-45页 |
| 3.1.1 基于MEMS工艺的预仿真 | 第35-38页 |
| 3.1.2 E面矩形波导分支线电桥仿真设计 | 第38-41页 |
| 3.1.3 H面矩形波导裂缝电桥仿真设计 | 第41-45页 |
| 3.2 加工方案 | 第45-51页 |
| 3.2.1 工艺步骤 | 第45-47页 |
| 3.2.2 掩膜层设计 | 第47-51页 |
| 3.3 配套夹具设计 | 第51-54页 |
| 3.4 测试方案 | 第54-62页 |
| 3.4.1 测隔离度 | 第60页 |
| 3.4.2 测插入损耗 | 第60-61页 |
| 3.4.3 测直通端插入损耗 | 第61页 |
| 3.4.4 测耦合端插入损耗 | 第61-62页 |
| 3.5 测试结果 | 第62-67页 |
| 3.5.1 E面矩形波导分支线电桥结构测试结果 | 第62-64页 |
| 3.5.2 H面矩形波导裂缝电桥测试结果 | 第64-67页 |
| 3.6 本章小结 | 第67-68页 |
| 第四章 340 GHZ矩形波导 10dB定向耦合器 | 第68-77页 |
| 4.1 定向耦合器的仿真设计 | 第68-71页 |
| 4.1.1 E面矩形波导分支电桥仿真设计 | 第68-70页 |
| 4.1.2 E面矩形波导“田”字形耦合电桥仿真设计 | 第70-71页 |
| 4.2 加工方案 | 第71-72页 |
| 4.3 仿真结果 | 第72-74页 |
| 4.4 配套夹具设计 | 第74-76页 |
| 4.5 本章小结 | 第76-77页 |
| 第五章 结论 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第82-83页 |